[发明专利]一种N型太阳能电池及制造方法

权利要求书

1.一种N型太阳能电池的制造方法，其特征在于，依次包括以下步骤：

提供N型硅片；

通过硼扩散在N型硅片的正面形成硼扩散层；

在所述硼扩散层的表面沉积Al₂O₃钝化膜；

对Al₂O₃钝化膜进行局部开窗处理；

在Al₂O₃钝化膜上沉积一层氮化硅膜。

2.根据权利要求1所述的N型太阳能电池的制造方法，其特征在于，采用激光工艺或者腐蚀浆料刻蚀的方式对Al₂O₃钝化膜进行局部开窗处理。

3.根据权利要求2所述的N型太阳能电池的制造方法，其特征在于，采用激光工艺对Al₂O₃钝化膜进行局部开窗处理时，所述激光的波长为532nm，功率为10~20W。

4.根据权利要求2所述的N型太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述局部开窗处理的图形与电池正面的电极图形保持一致。

5.根据权利要求4所述的N型太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述局部开窗处理的图形深度与Al₂O₃钝化膜的厚度保持一致。

6.根据权利要求1所述的N型太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述Al₂O₃钝化膜的厚度为4~8nm。

7.根据权利要求1所述的N型太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述氮化硅膜的厚度为70~80nm。

8.根据权利要求1所述的N型太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）对硅片进行去损伤层和制绒；

（2）硼扩散，在硅片的正面形成硼扩散层和BSG层，硼扩散完成后去除硅片背面及侧面的硼扩散层；

（3）磷扩散，在硅片背面形成重掺杂层和PSG层，磷扩散完成后去除N型硅片侧面的PSG层与磷扩散层；

（4）在硅片的正面沉积厚度4~8nm的Al₂O₃钝化膜；

（5）采用激光工艺或者腐蚀浆料刻蚀的方式对硅片正面的Al₂O₃钝化膜进行局部开窗处理；

（6）在硅片的正面和背面分别沉积厚度70~80nm的氮化硅膜；

（7）在硅片的正面和背面分别印刷正电极和背电极，烧结后制得N型太阳能电池。

9.一种N型太阳能电池，其特征在于，使用权利要求1-8中任一项所述的N型太阳能电池的制造方法制得。