[发明专利]一种保护电路及电路保护装置

权利要求书

1.一种保护电路，其特征在于，包括：控制单元、欠压保护单元、过压保护单元和过流保护单元；

所述控制单元为第一MOS管，所述第一MOS管的源极连接电流输入端，所述第一MOS管的漏极连接被保护的用电负载，用于控制用电负载的接通与关断；

所述欠压保护单元由第一电阻与第一稳压二极管串联后连接至所述第一MOS管的栅极构成，用于在保护电路电压低于所述第一MOS管的阈值电压和所述第一稳压二极管的击穿电压之和时，断开所述第一MOS管保护所述用电负载；

所述过压保护单元由第二电阻与第二稳压二极管串联后连接至三极管的基极构成，用于在保护电路电压大于第二稳压二极管与三极管的饱和电压之和时，断开所述第一MOS管保护所述用电负载；

所述过流保护单元由第二MOS管、第四电阻和可控硅组成，用于在所述第四电阻的电压大于所述第二MOS管的阈值电压时，所述第二MOS管的源极和栅极接通，触发所述可控硅导通，从而短路所述第一MOS管保护所述用电负载。

2.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述三极管的发射极与所述第一MOS管的源极连接，所述三极管的集电极连接至所述第一MOS管的栅极。

3.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述第二MOS管的栅极通过第五电阻连接至第四电阻的输出端，所述第二MOS管的源极和第四电阻的输入端共同接电源输入端，第二MOS管的漏极通过第三电阻连接至所述可控硅的控制极，所述第四电阻作为采样电阻。

4.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述可控硅的阴极与所述第一稳压二极管的输入端连接，在所述过流保护单元的可控硅导通时，将保护电路的电流通过所述第一稳压二极管和串联的所述第一电阻接地。

5.根据权利要求3所述的保护电路，其特征在于，所述第四电阻采用正温度敏感电阻，当保护电路的温度超过预设温度时，所述第四电阻的阻值增加，所述第四电阻两端的电压随阻值的增加而增加。

6.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述第一MOS管为PMOS管。

7.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述第二MOS管为PMOS管。

8.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述三极管为PNP三极管。

9.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，还包括双向瞬态抑制二极管，所述双向瞬态抑制二极管的一端与第一MOS管的漏极连接，另一端接地。

10.一种电路保护装置，包括权利要求1-9任一项所述的保护电路，其特征在于，所述电路保护装置连接在用电负载的正极与电源的正极之间。