[发明专利]一种采用倒金字塔绒面的太阳能电池的制造方法

权利要求书

1.一种采用倒金字塔绒面的太阳能电池的制造方法，其特征在于：它包括如下步骤，

步骤A，对半导体基板进行倒金字塔制绒；

步骤B，对经步骤A处理的半导体基板进行表面钝化。

2.根据权利要求1所述的采用倒金字塔绒面的太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述步骤B的具体方法为在半导体基板表面放置带有网孔的第二遮掩结构后进行第一次钝化膜沉积，然后移除第二遮掩结构进行第二次钝化膜沉积。

3.根据权利要求2所述的采用倒金字塔绒面的太阳能电池的制造方法，其特征在于：在进行步骤B处理之前，对半导体基板进行酸洗。

4.根据权利要求2所述的采用倒金字塔绒面的太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述第二遮掩结构为网孔大小与倒金字塔绒面个体大小相适应且网孔分布均匀的网状掩膜板。

5.根据权利要求1所述的采用倒金字塔绒面的太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述第一次钝化膜沉积和第二次钝化膜沉积均为非晶硅薄膜或二氧化硅薄膜沉积。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的采用倒金字塔绒面的太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述步骤A的具体方法为在半导体基板表面放置带有网孔的第一遮掩结构后进行蚀刻，然后移除第一遮掩结构进行制绒。

7.根据权利要求6所述的采用倒金字塔绒面的太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述步骤A的具体工序为，

a1，在半导体基板表面放置第一遮掩结构；

a2，在第一遮掩结构的保护下，对半导体基板表面进行激光蚀刻处理或等离子蚀刻处理，形成均匀分布在半导体基板表面的孔洞；

a3，移除第一遮掩结构，对半导体基板进行制绒处理，形成倒金字塔绒面。

8.根据权利要求6所述的采用倒金字塔绒面的太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述第一遮掩结构为可耐激光或等离子蚀刻且网孔分布均匀的网状掩膜板。

9.根据权利要求8所述的采用倒金字塔绒面的太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述第一遮掩结构的网孔截面为正方形，边长为1um-1mm；所述第一遮掩结构的网孔截面为圆形，直径为1um-1mm。

10.根据权利要求7-9任意一项所述的采用倒金字塔绒面的太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述步骤a3的具体方法为，移除第一遮掩结构，对半导体基板表面进行清洗去除蚀刻后残留的物质，然后进行制绒处理，形成倒金字塔绒面。