[发明专利]数据写入方法、装置、可读存储介质及电子设备

说明书

本发明公开一种数据写入方法、装置、可读存储介质及电子设备，通过增设混合模式标识和三阶储存单元块计数值，在接收到数据写入请求时，获取混合模式标识和三阶储存单元块计数值判断当前状态下是否能够采用混合模式进行数据写入，只有当同时满足混合模式标识为开启状态以及三阶储存单元块计数值小于或等于第一预设值时，才能将三阶储存单元块等效为单阶储存单元块进行数据写入，否则，采用常规的模式进行数据写入，从而避免一直处于混合模式下对数据进行写入，使主机反复在一片固定的地址进行擦写操作，导致NAND寿命大大降低的问题。

技术领域

本发明涉及存储器领域，特别是涉及一种数据写入方法、装置、可读存储介质及电子设备。

背景技术

在NAND Flash(计算机闪存设备)中包括SLC(Single Level Cell，单阶储存单元)和TLC(Triple Level Cell，三阶储存单元)，虽然SLC的性能高于TLC，但TLC的数据存储量是SLC的3倍。因此，为了满足市场的性能及容量要求，整个NAND的数据区主要分为SLCQueue(数据缓存区，以下称SLCQ)和TLC Queue(数据主存区，以下称TLCQ)。

当NAND在进行数据写入时，通常将数据写入SLCQ中，由此来满足快速写入的性能要求。但由于SLCQ储存大小的限制性，在SLCQ写满后便需要进行GC(Garbage Collection，垃圾回收)。而GC的引入使得写入的速度大幅下降。

目前，为了进一步提升速度，通常采用MixMode(混合模式)进行数据写入。即将TLCQ中的TLCBlock通过特定的擦除方法当成SLCBlock进行使用。在固定大小的SLCQ消耗完之后，可将数据写入的储存区由SLCQ切换为TLCQ。从TLCQ中取出等效的SLCBlock进行使用，以此来增加高速性能的持续时长。

但现有的混合模式存在较为严重的缺点：将TLCBlock擦除作为SLCBlock会导致TLCBlock寿命大大降低。在特殊场景，如当MixMode启用时，host反复在TLCBlock一片固定的地址进行擦写操作时，会导致NAND一直停留在TLCQ无法退出。而一直取用TLCBlock进行擦写，会导致TLCQ寿命大大降低，即NAND在规定寿命前中期就表现出数据及其不稳定甚至数据丢失的现象。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供一种数据写入方法，避免混合模式下NAND寿命减短的问题。

为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：

一种数据写入方法，包括步骤：

接收数据写入请求，根据所述数据写入请求获取混合模式标识；

根据所述混合模式标识判断混合模式是否为开启状态，若是，则获取三阶储存单元块计数值，判断所述三阶储存单元块计数值是否小于或等于第一预设值，若是，则采用混合模式进行数据写入，否则，采用常规模式进行数据写入。

为了解决上述技术问题，本发明采用的另一技术方案为：

一种数据写入装置，包括：

接收模块，用于接收数据写入请求，根据所述数据写入请求获取混合模式标识；

判断模块，根据所述混合模式标识判断混合模式是否为开启状态，若是，则获取三阶储存单元块计数值，判断所述三阶储存单元块计数值是否小于或等于第一预设值，若是，则采用混合模式进行数据写入，否则，采用常规模式进行数据写入。

为了解决上述技术问题，本发明采用的另一技术方案为：

一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上述一种数据写入方法中的各个步骤。

为了解决上述技术问题，本发明采用的另一技术方案为：