[发明专利]一种半导体器件超临界处理方法

权利要求书

1.一种半导体器件超临界处理方法，其特征在于，包括：

提供一半导体器件、第一物质以及第二物质，所述第二物质为含碳元素以及氢元素的化合物；

对所述第一物质进行超临界化处理，获取超临界态的第一物质，其中，处理温度T为T1≤T，处理压力P为P1≤P，T1为所述第一物质的临界温度，P1为所述第一物质的临界压力；

通过超临界态的第一物质对所述第二物质进行处理，以得到超临界态的第二物质；

通过超临界态的第二物质对所述半导体器件的半导体结构进行晶体缺陷修复。

2.如权利要求1所述的半导体器件超临界处理方法，其特征在于，在常温常压下，所述第一物质为气态无机物、气态有机物或液态有机物。

3.如权利要求2所述的半导体器件超临界处理方法，其特征在于，所述第一物质为烷烃、烯烃、炔烃、饱和卤代烃、醇类有机物、醛类有机物、酯类有机物、酮类有机物、酚类有机物、醚类有机物、酰类有机物或羧酸类有机物，且所述第一物质为流体。

4.如权利要求1所述的半导体器件超临界处理方法，其特征在于，所述第一物质为二氧化碳、四氟化碳、水、氮气、氨或惰性气体。

5.一种半导体器件超临界处理方法，其特征在于，包括：

提供一半导体器件以及第二物质，所述第二物质为含碳元素以及氢元素的化合物；

获取超临界态的第二物质；

通过超临界态的第二物质对所述半导体器件的半导体结构进行晶体缺陷修复。

6.如权利要求1或5所述的半导体器件超临界处理方法，其特征在于，所述第二物质为烷烃、烯烃或炔烃。

7.如权利要求6所述的半导体器件超临界处理方法，其特征在于，所述第二物质为甲烷、乙烯或乙炔。

8.如权利要求1或5所述的半导体器件超临界处理方法，其特征在于，所述半导体结构的材料为氮化镓。

9.如权利要求8所述的半导体器件超临界处理方法，其特征在于，所述半导体器件为氮化镓高电子迁移率晶体管。

10.如权利要求1或5所述的半导体器件超临界处理方法，其特征在于，所述第二物质的质量分数小于或等于5％，或所述第二物质的体积分数小于或等于5％。