[发明专利]一种平面InGaAs/InP APD光电探测器的制备方法在审
| 申请号： | 202110985324.5 | 申请日： | 2021-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN113707763A | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 肖雪芳 | 申请（专利权）人： | 厦门理工学院 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/107 |
| 代理公司： | 厦门福贝知识产权代理事务所(普通合伙) 35235 | 代理人： | 陈远洋 |
| 地址： | 361024 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 平面 ingaas inp apd 光电 探测器 制备 方法 | ||
1.一种平面InGaAs/InP APD光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1：在外延片上先生长一层二氧化硅，在所述二氧化硅上再生长一层氮化硅，形成二氧化硅/氮化硅扩散阻挡层；
步骤S2：采用光刻干法腐蚀将所述二氧化硅/氮化硅扩散阻挡层腐蚀形成扩散的主窗口和2个保护环窗口；
步骤S3：采用酸混合溶液对所述二氧化硅/氮化硅扩散阻挡层进行湿法腐蚀，形成主窗口第一台阶和保护环窗口第一台阶；
步骤S4：以光刻胶做为掩膜，采用所述酸混合溶液对所述二氧化硅/氮化硅扩散阻挡层进行湿法腐蚀，形成主窗口第二台阶；以及
步骤S5：最后去除所述光刻胶，裸露出所述主窗口和所述保护环窗口，以锌为扩散源在所述主窗口和所述保护环窗口进行开管锌扩散。
2.根据权利要求1所述的平面InGaAs/InP APD光电探测器的制备方法，其特征在于，步骤S1中的所述二氧化硅的厚度为所述氮化硅的厚度为
3.根据权利要求1所述的平面InGaAs/InP APD光电探测器的制备方法，其特征在于，所述酸混合溶液包括盐酸、冰醋酸和水，所述盐酸:所述冰醋酸:所述水的比例为5:20:1～10:40:1，所述酸混合溶液的速率范围为
4.根据权利要求1所述的平面InGaAs/InP APD光电探测器的制备方法，其特征在于，所述主窗口第二台阶的高度小于所述主窗口第一台阶。
5.根据权利要求4所述的平面InGaAs/InP APD光电探测器的制备方法，其特征在于，所述主窗口第一台阶的高度为所述主窗口第二台阶的高度为
6.根据权利要求1所述的平面InGaAs/InP APD光电探测器的制备方法，其特征在于，所述锌的纯度为99.999％。
7.根据权利要求1所述的平面InGaAs/InP APD光电探测器的制备方法，其特征在于，步骤S5中进行开管锌扩散时，氮气和氢气作为保护气氛，所述氮气和所述氢气的气流量分别为0.5～1.2l/min和0.1～0.3l/min，扩散温度为420-500℃。
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