[发明专利]一种高稳定性近红外LED植物灯发光芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种高稳定性近红外LED植物灯发光芯片，其特征在于：发光芯片的发光粉化学式为Zn₃Ga_2-2xAl_2xGeO₈:yCr³⁺，其中0x＜0.5，0y≤0.05。

2.权利要求1所述高稳定性近红外LED植物灯发光芯片的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：

(1)将高纯的ZnO、Ga₂O₃、GeO₂、Al₂O₃和Cr₂O₃进行研磨得到混合粉料A；

(2)将步骤(1)混合粉料A置于温度为1400～1450℃、氧化气氛中高温烧结6-7h，研磨得到Zn₃Ga_2-2xAl_2xGeO₈:y Cr³⁺近红外发光荧光粉；

(3)采用环氧树脂将步骤(2)的Zn₃Ga_2-2xAl_2xGeO₈:y Cr³⁺近红外发光荧光粉封装在蓝光LED芯片上，凝固烘干20-24h即得高稳定性近红外LED植物灯发光芯片。

3.根据权利要求2所述高稳定性近红外LED植物灯发光芯片的制备方法，其特征在于：以质量分数计，步骤(1)混合粉料A中ZnO为43-45％、Ga₂O₃为28-30％、GeO₂为18-20％、Al₂O₃为7-9％；Cr₂O₃掺杂占总质量的1-5％。

4.根据权利要求2所述高稳定性近红外LED植物灯发光芯片的制备方法，其特征在于：步骤(3)Zn₃Ga_2-2xAl_2xGeO₈:y Cr³⁺近红外发光荧光粉与环氧树脂的质量比为1:1.5-2。

5.权利要求1所述高稳定性近红外LED植物灯发光芯片在制备植物LED灯中的应用。