[发明专利]一种Eu（II）离子掺杂的单相全光谱发射荧光粉及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种Eu²⁺离子掺杂的单相全光谱发射荧光粉，其特征在于，该荧光粉的化学通式为：Ca₉MgNa(PO₄)₇:xEu²⁺，其中，x为0.005-0.02。

2.权利要求1所述的Eu²⁺离子掺杂的单相全光谱发射荧光粉的制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤：

步骤1：称取荧光粉原料粉体CaCO₃、(MgCO₃)₄·Mg(OH)₂·5H₂O、Na₂CO₃、NH₄H₂PO₄和Eu₂O₃进行研磨，使原料粉体混合均匀；

步骤2：将混合均匀的荧光粉原料粉体放置于坩埚中，并将坩埚放置于马弗炉中，在900～1100℃烧结温度和8～12h烧结时间下得到前驱体；

步骤3：称取还原性金属粉末与前驱体，并将还原性金属粉末与前驱体分别放置于两个坩埚中，然后将坩埚置于真空管式炉中，抽真空，在600～1000℃还原温度和4～8h还原时间下进行还原，待样品冷却至室温后置于玛瑙研钵中研磨均匀，即得到该荧光粉。

3.根据权利要求2所述的Eu²⁺离子掺杂的单相全光谱发射荧光粉的制备方法，其特征在于，所述步骤1中的荧光粉原料粉体的摩尔比为：CaCO₃+Eu₂O₃:(MgCO₃)₄·Mg(OH)₂·5H₂O:Na₂CO₃:NH₄H₂PO₄＝90:2:5:70；其中，CaCO₃与Eu₂O₃的摩尔比为8.991～8.1:0.0045～0.45。

4.根据权利要求2所述的Eu²⁺离子掺杂的单相全光谱发射荧光粉的制备方法，其特征在于，所述步骤1中的研磨的时间为15～20分钟。

5.根据权利要求2所述的Eu²⁺离子掺杂的单相全光谱发射荧光粉的制备方法，其特征在于，所述步骤3中的还原性金属粉末包括铝粉和/或镁粉。

6.根据权利要求2所述的Eu²⁺离子掺杂的单相全光谱发射荧光粉的制备方法，其特征在于，所述步骤3中的前驱体与还原性金属粉末的质量比为1:0.3～1。

7.根据权利要求2所述的Eu²⁺离子掺杂的单相全光谱发射荧光粉的制备方法，其特征在于，所述步骤3中的还原性金属粉末与前驱体的坩埚放置距离为1～4cm。

8.根据权利要求2所述的Eu²⁺离子掺杂的单相全光谱发射荧光粉的制备方法，其特征在于，所述步骤3中的真空气氛为系统压力小于负0.1MPa。

9.权利要求1所述的Eu²⁺离子掺杂的单相全光谱发射荧光粉在LED器件中的应用。