[发明专利]一种键合强度的测试方法

说明书

本申请实施例提供了一种键合强度的测试方法，包括：提供待键合晶圆，所述待键合晶圆包括N个键合区域，每个所述键合区域上的键合焊垫的尺寸不同，其中，N为大于或等于2的整数；将至少两个所述待键合晶圆通过所述键合区域进行键合，得到键合晶圆；分别检测所述键合晶圆的各个键合区域之间的键合强度。本申请实施例提供的键合强度的测试方法，通过在待键合晶圆上划分多个键合区域，以获得多种不同尺寸的键合焊垫，将至少两个待键合晶圆的通过键合区域进行键合后得到键合晶圆，仅使用一个键合晶圆即能够获得具有不同尺寸的键合焊垫的多个键合区域之间的键合强度，从而在增加测试数据的同时，还能够节省成本。

技术领域

本申请实施例涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种键合强度的测试方法。

背景技术

晶圆键合技术(wafer bonding technology)是指通过化学和物理作用将两个晶圆紧密地结合起来，晶圆结合后，界面处的原子受到外力的作用而产生反应形成共价键结合成一体，并使得结合界面达到特定的键合强度。其中，晶圆键合技术可分为四类，包括粘合剂和阳极键合、直接晶圆键合、金属晶圆键合和混合键合(hybrid bonding，HB)。

在晶圆键合技术中，键合强度是表征键合效果的一项重要技术指标。如果键合强度过小，在加工过程中，相互键合的两个晶圆很可能会开裂，导致失效。因此，有必要对键合晶圆的键合强度进行测试，以评价键合晶圆的键合效果是否满足后序工艺的要求。

目前，晶圆键合强度的测试方法有待进一步的优化。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例为解决现有技术中存在的至少一个技术问题而提供一种键合强度的测试方法。

为达到上述目的，本申请的技术方案是这样实现的：

本申请实施例提供一种键合强度的测试方法，包括：

提供待键合晶圆，所述待键合晶圆包括N个键合区域，每个所述键合区域上的键合焊垫的尺寸不同，其中，N为大于或等于2的整数；

将至少两个所述待键合晶圆通过所述键合区域进行键合，得到键合晶圆；

分别检测所述键合晶圆的各个键合区域之间的键合强度。

根据本申请的一种实施方式，所述方法还包括：

根据各个键合区域之间的键合强度，确定最佳的键合区域组合；

根据最佳的键合区域组合，确定该最佳的键合区域组合对应的键合焊垫组合。

根据本申请的一种实施方式，所述将至少两个所述待键合晶圆通过所述键合区域进行键合，包括：

对至少两个所述待键合晶圆上键合焊垫尺寸相同的键合区域进行键合。

根据本申请的一种实施方式，所述方法还包括：

检测得到N个键合强度；

其中，每个所述键合强度对应一键合焊垫尺寸相同的键合区域组合；每个所述键合区域组合对应一尺寸相同的键合焊垫组合。

根据本申请的一种实施方式，所述对至少两个所述待键合晶圆上键合焊垫尺寸相同的键合区域进行键合，包括：

使得至少两个所述待键合晶圆上键合焊垫之间具有预设偏移量后进行键合。

根据本申请的一种实施方式，所述预设偏移量不为零的情况下，所述方法还包括：

根据所述键合强度以及所述键合焊垫之间的键合面积，得到所述键合强度与所述键合面积的关联关系。

根据本申请的一种实施方式，所述将至少两个所述待键合晶圆通过所述键合区域进行键合，包括：