[发明专利]一种高熵六硼化物纳米晶陶瓷及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种高熵六硼化物纳米晶陶瓷的制备方法，其特征在于，包括有以下步骤：

1)将NaBH₄、La₂O₃、CeO₂、Nd₂O₃和Eu₂O₃混合进行研磨，再压制成片，得到混合粉体压片；

2)将混合粉体压片置于保护气氛中进行煅烧，再进行酸洗和水洗，得到高熵六硼化物纳米粉体；

3)将高熵六硼化物纳米粉体预压成坯体，再进行加压烧结，即得高熵六硼化物纳米晶陶瓷；

步骤1)所述NaBH₄的物质的量与La₂O₃、CeO₂、Nd₂O₃和Eu₂O₃中金属元素的总物质的量的比为6:1～8:1；

步骤1)所述La₂O₃、CeO₂、Nd₂O₃、Eu₂O₃的摩尔比为1:2:1:1；

步骤2)所述煅烧的具体操作为：以8℃/min～12℃/min的升温速率升温至1100℃～1300℃，保温1h～3h；

步骤3)所述加压烧结在压力4GPa～8GPa、温度1300℃～1500℃的条件下进行，烧结时间为10min～30min。

2.根据权利要求1所述的高熵六硼化物纳米晶陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤1)所述La₂O₃、CeO₂、Nd₂O₃和Eu₂O₃均呈粉末状，纯度均≥99.9％，粒径均为5μm～10μm。

3.根据权利要求1所述的高熵六硼化物纳米晶陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤1)所述压制的压力为10MPa～30MPa。

4.根据权利要求1所述的高熵六硼化物纳米晶陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤2)所述酸洗采用的酸为浓度1mol/L～3mol/L的盐酸。

5.一种高熵六硼化物纳米晶陶瓷，其特征在于，其由权利要求1～4中任意一项所述的方法制备得到。

6.权利要求5所述的高熵六硼化物纳米晶陶瓷在制备热电子发射阴极材料中的应用。