[发明专利]以太网PHY芯片的浪涌保护电路

说明书

本发明涉及一种以太网PHY芯片的浪涌保护电路，包括一电压检测与阻抗变换电路，连接于以太网PHY芯片的连接口与输出驱动电路之间，包括：第一电阻支路，两端并联一第一开关支路，可控制地导通或断开以变换第一连接口与第一端口之间的阻抗；第二电阻支路，两端并联一第二开关支路，可控制地导通或断开以变换第二连接口与第二端口之间的阻抗；第一电压检测比较电路检测第一开关支路两端的电压并产生第一比较信号；第二电压检测比较电路检测第二开关支路两端的电压并产生第二比较信号；逻辑门电路连接第一比较信号和第二比较信号以及输出端输出开关控制信号。在发生浪涌时通过提高连接口和输出驱动电路之间的阻抗起到浪涌保护的作用。

技术领域

本发明涉及以太网芯片技术领域，尤其涉及一种以太网PHY芯片的浪涌保护电路。

背景技术

浪涌是一种因为户外的雷击，或者高压电网的上电过程带来的大电流注入，以太网PHY芯片需要设置浪涌保护电路，以有效地应对浪涌冲击。

现有技术中如图1所示，通过在以太网PHY芯片的接口端MDIP和MDIN之间连接TVS(Transient Voltage Suppressor，瞬态电压抑制器)二极管以在接口端受到高能量冲击时，提供泄放通路，有效保护内部器件免受浪涌冲击，然而现有技术的浪涌保护电路保护不够彻底，一部分能量通过TVS二极管通路泄放后，以太网PHY芯片的内部电路还是不可避免的受到大电流注入的影响。

发明内容

针对上述问题，本发明提出一种以太网PHY芯片的浪涌保护电路。

以太网PHY芯片的浪涌保护电路，包括一电压检测与阻抗变换电路，连接于所述以太网PHY芯片的连接口与所述以太网PHY芯片内部的输出驱动电路之间，所述电压检测与阻抗变换电路包括：

第一电阻支路，连接于所述以太网PHY芯片的第一连接口与所述输出驱动电路的第一端口之间，所述第一电阻支路的两端并联一第一开关支路，于一开关控制信号的作用下可控制地导通或断开以变换所述第一连接口与所述第一端口之间的阻抗；

第二电阻支路，连接于所述第二连接口与所述输出驱动电路的第二端口之间，所述第二电阻支路的两端并联一第二开关支路，于所述开关控制信号的作用下可控制地导通或断开以变换所述第二连接口与所述第二端口之间的阻抗；

第一电压检测比较电路，检测所述第一开关支路两端的电压并进行比较产生第一比较信号；

第二电压检测比较电路，检测所述第二开关支路两端的电压并进行比较产生第二比较信号；

逻辑门电路，所述逻辑门电路的输入端连接所述第一比较信号和第二比较信号，所述逻辑门电路的输出端输出所述开关控制信号。

本发明所述的浪涌保护电路，所述第一电压检测比较电路包括，

第一电压检测器，包括第一PMOS管和连接于所述第一PMOS管的源极和接地端的第一电流源，所述第一PMOS管的栅极连接所述第一连接口，所述第一PMOS管与所述第一电流源相连接的点输出第一检测电压；

第二电压检测器，包括第二PMOS管和连接于所述第二PMOS管的源极和接地端的第二电流源，所述第二PMOS管的栅极连接所述第一端口，所述第二PMOS管与所述第二电流源相连接的点输出第二检测电压；

第一比较器，所述第一比较器的输入端连接所述第一检测电压和所述第二检测电压，所述第一比较器的输出端输出所述第一比较信号。

本发明所述的浪涌保护电路，所述第二电压检测比较电路包括，

第三电压检测器，包括第一NMOS管和连接于所述第一NMOS管的源极和接地端的第三电流源，所述第一NMOS管的栅极连接所述第二连接口，所述第一NMOS管与所述第三电流源相连接的点输出第三检测电压；