[发明专利]一种用T2紫铜制备亲锂铜集流体材料的方法在审

专利信息
申请号: 202110957723.0 申请日: 2021-08-19
公开(公告)号: CN113667909A 公开(公告)日: 2021-11-19
发明(设计)人: 艾伟;杜祝祝;杜洪方;黄维;李一帆;刘宇航 申请(专利权)人: 西北工业大学
主分类号: C22F1/02 分类号: C22F1/02;C22F1/08;C23G1/10;H01M4/66
代理公司: 西北工业大学专利中心 61204 代理人: 屠沛
地址: 710072 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 t2 紫铜 制备 亲锂铜集 流体 材料 方法
【说明书】:

本发明公开了一种用T2紫铜制备亲锂铜集流体材料的方法。通过控制退火条件,影响铜晶格、晶面的变化,实现了非亲锂性铜向亲锂性铜的转化。本发明以T2紫铜为原料,通过低温退火法将不亲锂的铜集流体转变为以(100)晶面为主的亲锂性铜集流体。本发明提供的亲锂铜集流体材料的制备方法,具有工艺简单、条件温和、重复性好、生产成本低等特点,具备大规模制备潜力,且所得集流体有高(100)晶面暴露比。

技术领域

本发明属于锂金属电池材料制备技术领域,具体涉及一种用T2紫铜制备亲锂铜集流体材料的方法。

背景技术

铜箔集流体具有高的电子电导率,良好的化学/电化学性能、优异的机械和热稳定性能,而且制备工艺成熟且成本低,在锂电池集流体等储能领域有着深入研究。然而,铜常以(111)和(110)晶面存在,表现出较差的锂浸润性,导致金属锂在铜箔集流体表面的成核过电位较高、锂沉积形貌不均匀,甚至产生锂枝晶,造成较差的电化学循环性能。此外,生长的枝晶可能会刺穿隔膜,造成内部短路、热失控等严重的安全隐患。

为解决以上问题,可通过对铜箔集流体进行涂层设计增加其亲锂性。目前,亲锂化设计主要通过在铜箔表面负载如金、银、锡等涂层,这些金属涂层能显著降低锂沉积的成核过电位,表现出优异的电化学循环性能。由于金属涂层通常采用物理气相沉积、磁控溅射等方法,其成本高,操作复杂,因此难以大规模生产制备。

研究证实,铜(100)晶面与锂金属有较高的亲和性,在电化学循环中能显著降低锂沉积的成核过电位,并均匀化锂沉积,具有广阔的前景。文献1“毛秉伟教授等从Lithiophilic Faceted Cu(100)Surfaces:High Utilization of Host Surface andCavities for Lithium Metal Anodes[J],Angewandte Chemie International Edition,2019,58,3092.”报道了一种暴露亲锂性铜(100)晶面的制备方法,该方法首先将铜在浓磷酸中进行电化学抛光使表面光滑,然后采用三电极体系,在CuSO4、H2SO4和NaCl的溶液中,通过恒电位阴极极化进行电镀,使铜(111)晶面转变为亲锂性(100)晶面。专利1“彭海琳,王欢等,一种多晶铜箔转变为单晶Cu(100)的方法[P],申请号CN201610147553.9”公开了一种铜(100)晶面转变方法,该方法首先在不通入任何气体的条件下,对铜基底进行退火处理;然后在还原性气氛中,对上述步骤所得铜基底进行还原,最后得到Cu(100)单晶。在还原处理中,还原性气氛为氢气;还原性气体的流量为50sccm-500sccm;所述还原的温度为980-1040℃;还原的时间为5min-15min;压强为50-500Pa。

然而,采用上述现有得到铜(100)晶面的方法不仅需要多步完成,而且需要多种试剂、制备工艺繁琐复杂、可控性不佳、还原温度高等缺点,难以大规模生产制备。因此,有必要研究出一种操作简单、能耗低、可大规模暴露铜(100)晶面的方法至关重要。

发明内容

本发明的目的在于解决现有得到铜(100)晶面的方法存在工艺繁琐复杂、使用试剂种类繁多、可控性不佳、还原温度高,难以大规模生产制备的不足之处,而提供一种用T2紫铜制备亲锂铜集流体材料的方法。

为实现上述目的,本发明所提供的技术解决方案是:

一种用T2紫铜制备亲锂铜集流体材料的方法,其特殊之处在于,包括以下步骤:

1)预处理

将T2紫铜加入至稀酸溶液预处理,随后洗涤、干燥,得到预处理后的T2紫铜;

该步骤中采用酸溶液预处理主要是为了以去除T2紫铜表面氧化层(CuO,Cu2O)的影响;

2)热处理

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