[发明专利]一种两相钽酸镁陶瓷块体的制备方法有效
| 申请号： | 202110954973.9 | 申请日： | 2021-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN113683416B | 公开（公告）日： | 2023-03-03 |
| 发明（设计）人： | 冯晶;陈琳;王建坤;张陆洋;李振军;王峰 | 申请（专利权）人： | 陕西天璇涂层科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/495 | 分类号： | C04B35/495;C04B35/622;C04B35/626;C04B35/64 |
| 代理公司： | 西安维赛恩专利代理事务所(普通合伙) 61257 | 代理人： | 李明全 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 两相 钽酸镁 陶瓷 块体 制备 方法 | ||
1.一种两相钽酸镁陶瓷块体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
将Mg(OH)2、碱式碳酸镁和草酸镁中的至少一种进行煅烧分解，得到氧化镁粉末；
将草酸钽进行煅烧分解，得到氧化钽粉末；
根据待制备两相钽酸镁陶瓷块体中Mg4Ta2O9和MgTa2O6的摩尔比，分别称量所述氧化镁粉末和氧化钽粉末；
将所述氧化镁粉末和氧化钽粉末进行球磨混料，干燥后得到混合粉末；
将所述混合粉末进行等静压成形处理，得到块状坯体；
将所述块状坯体进行保温烧结，得到两相钽酸镁陶瓷块体；所述保温烧结温度为880～1050℃，保温时间为2～3.5h；
所述两相钽酸镁陶瓷块体由Mg4Ta2O9和MgTa2O6构成，且Mg4Ta2O9和MgTa2O6的摩尔比为X：(1-X)，0＜X＜1；
所述两相钽酸镁陶瓷块体的断裂韧性＞2MPa.m1/2，热导率为1～3W.m-1.K-1。
2.如权利要求1所述的一种两相钽酸镁陶瓷块体的制备方法，其特征在于，所述等静压处理中压片压力为250～320MPa，时间为5～10min。
3.如权利要求2述的一种两相钽酸镁陶瓷块体的制备方法，其特征在于，球磨混料中球磨转速为2200～3000rpm，球磨时间为10～20h。
4.如权利要求1-3任一所述的一种两相钽酸镁陶瓷块体的制备方法，其特征在于，将Mg(OH)2、碱式碳酸镁和草酸镁中的至少一种进行煅烧分解时，煅烧温度为585℃，保温时间为1h。
5.如权利要求4所述的一种两相钽酸镁陶瓷块体的制备方法，其特征在于，将草酸钽进行煅烧分解时，煅烧温度为850℃，保温1h。
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