[发明专利]温度检测电路

权利要求书

1.一种温度检测电路，连接在SOC芯片上，以检测所述SOC芯片上各待测区域的温度，所述温度检测电路包括：

温度传感器；

温度-电压检测模块，连接在所述SOC芯片和所述温度传感器之间，所述温度-电压检测模块至少包括一个温度-电压探针；以及

温度-电流检测模块，连接在所述SOC芯片和所述温度传感器之间，所述温度-电流检测模块至少包括一个温度-电流探针，

其中，所述温度-电压探针和所述温度-电流探针分布在所述SOC芯片的不同待测区域上，每个所述温度-电压探针向所述温度传感器输入一组输入电压信号，每个所述温度-电流探针向所述温度传感器输入一个输入电流信号，所述温度传感器根据所述输入电压信号或所述输入电流信号分别输出对应的温度编码信息，

其中，所述温度传感器距离所述SOC芯片上的某一所述待测区域的距离小于第一距离时，采用温度-电压检测模块检测所述待测区域的温度；所述温度传感器距离所述SOC芯片上的某一所述待测区域的距离大于第一距离时，采用温度-电流检测模块检测所述待测区域的温度，

且所述温度-电压探针包括：基极和集电极分别相连的第一三极管和第二三极管，且所述第一三极管和所述第二三极管各自的基极和集电极均相互连接，所述第一三极管的发射极连接第一电阻的第一端，所述温度传感器接收所述第一三极管的发射极和所述第二三极管的发射极输出的一组输入电压信号；

所述温度-电流探针包括：基极和集电极分别相连的第三三极管和第四三极管，源极和栅极分别相连的第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管，且所述第三三极管和所述第四三极管各自的基极和集电极均相互连接并接入第一电源信号，所述第三三极管的发射极连接第二电阻的第一端；所述第一MOS管至所述第三MOS管的源极均接入第二电源信号，所述第一MOS管的漏极连接所述第二电阻的第二端，所述第二MOS管的漏极连接所述第四三极管的发射极；所述温度-电流探针还包括放大器，所述放大器的反向输入端连接所述第四三极管的发射极，所述放大器的正向输入端连接所述第二电阻的第二端，所述放大器的输出端连接所述第二MOS管的栅极，所述第三MOS管的漏极输出所述输入电流信号。

2.根据权利要求1所述的温度检测电路，其中，所述SOC芯片包括多个不同的待测区域，所述温度-电压检测模块包括多个温度-电压探针，所述温度-电流检测模块包括多个温度-电流探针，每个所述温度-电压探针和每个所述温度-电流探针均分别检测一个不同的所述待测区域的温度。

3.根据权利要求1所述的温度检测电路，其中，所述一组输入电压信号包括第一输入电压信号和第二输入电压信号，分别通过不同的传输线输入所述温度传感器中。

4.根据权利要求1所述的温度检测电路，其中，所述输入电压信号具有负温度系数，所述输入电流信号与绝对温度成正比。

5.根据权利要求3所述的温度检测电路，其中，所述第一三极管和所述第二三极管各自的基极与集电极均接入第一电源信号，所述第一电阻的第二端输出所述第一输入电压信号，所述第二三极管的发射极输出所述第二输入电压信号。

6.根据权利要求5所述的温度检测电路，其中，所述温度传感器包括：

模拟-数字转换器；

温度-电压调制模块，连接在所述温度-电压探测模块和所述模拟-数字转换器之间，选通一组所述输入电压信号调制成第一待测电流，输入至所述模拟-数字转换器；

温度-电流调制模块，连接在所述温度-电流探测模块和所述模拟-数字转换器之间，选通一个所述输入电流信号调制成第二待测电流，输入至所述模拟-数字转换器；

时钟电路，连接在所述模拟-数字转换器上，向所述模拟-数字转换器提供时钟信号；以及

带隙基准电路，与所述温度-电流调制模块和所述模拟-数字转换器连接，向所述温度-电流调制模块输入偏置电压，向所述模拟-数字转换器提供参考电压和基准电流，

所述模拟-数字转换器根据所述第一待测电流或第二待测电流以及根据所述时钟信号、所述基准电流和所述参考电压输出对应的温度编码信息。