[发明专利]用于光纤到光子芯片连接的装置和相关联方法有效
申请号: | 202110942526.1 | 申请日: | 2018-02-23 |
公开(公告)号: | CN113820799B | 公开(公告)日: | 2023-07-07 |
发明(设计)人: | M·沃德;孙晨;J·菲尼;R·E·米德;V·斯托加诺维奇;A·赖特 | 申请(专利权)人: | 埃亚尔实验室公司 |
主分类号: | G02B6/42 | 分类号: | G02B6/42;H01L29/06 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 申屠伟进;周学斌 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 光纤 光子 芯片 连接 装置 相关 方法 | ||
1.一种光子芯片,包括:
基板;
形成在基板上方的线前端区,所述线前端区包括晶体管和电光器件;和
形成在所述光子芯片的边缘处以接收多个光纤的光学耦合区,其中所述线前端区在所述光学耦合区内被去除,其中当所述多个光纤位于所述光学耦合区内时,所述光学耦合区提供所述多个光纤的光学芯与所述线前端区的对准。
2.如权利要求1所述的光子芯片,还包括:
掩埋氧化物区,设置在所述基板和所述线前端区之间。
3.如权利要求2所述的光子芯片,其中在所述光学耦合区内去除所述掩埋氧化物区。
4.如权利要求1所述的光子芯片,还包括:
浅沟槽隔离区,设置在所述基板和所述线前端区之间。
5.如权利要求4所述的光子芯片,其中在所述光学耦合区内去除所述浅沟槽隔离区。
6.如权利要求1所述的光子芯片,还包括:
深沟槽隔离区,设置在所述基板和所述线前端区之间。
7.如权利要求6所述的光子芯片,其中在所述光学耦合区内去除所述深沟槽隔离区。
8.如权利要求1所述的光子芯片,其中所述光学耦合区包括用于将所述多个光纤的光学芯与所述线前端区对准的对准结构。
9.如权利要求8所述的光子芯片,其中所述对准结构包括以基本平行的方式跨所述光学耦合区延伸的多个凹陷区。
10.根据权利要求1所述的光子芯片,其中所述光学耦合区提供所述多个光纤的光学芯与所述线前端区内的相应多个光波导的对准。
11.根据权利要求1所述的光子芯片,其中所述光学耦合区提供所述多个光纤的光学芯与所述线前端区内的相应多个光栅耦合器的对准。
12.如权利要求1所述的光子芯片,还包括:
形成在所述线前端区上方的线后端区,所述线后端区在所述光学耦合区内被去除,所述线后端区包括金属互连结构。
13.如权利要求1所述的光子芯片,还包括:
光学隔离材料,设置在所述基板与所述线前端区之间。
14.一种光子芯片,包括:
基板,其中去除所述基板的一部分以在所述光子芯片的边缘处形成光学耦合区,所述光学耦合区被形成用于接收多个光纤;和
形成在所述基板上方且在所述光学耦合区外部的线前端区,所述线前端区包括晶体管和电光器件,所述线前端区包括多个光栅耦合器,所述多个光栅耦合器定位成通过相应的光学转向机构与所述多个光纤的相应光学芯光耦合。
15.如权利要求14所述的光子芯片,其中在所述光学耦合区的边缘处的所述基板为所述多个光纤提供停止障碍。
16.如权利要求14所述的光子芯片,还包括:
电隔离区,设置在所述基板和所述线前端区之间,其中在所述电隔离区中存在开口以实现在所述多个光栅耦合器和所述多个光纤之间的光传输。
17.如权利要求16所述的光子芯片,其中所述电隔离区是掩埋氧化物区、浅沟槽隔离区和深沟槽隔离区中的一个或多个。
18.如权利要求14所述的光子芯片,其中所述光学耦合区包括:对准结构,用于为了通过相应的光学转向机制将所述光栅耦合器与所述多个光纤的相应光学芯光耦合而需要对准所述多个光纤的光学芯。
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