[发明专利]膜

说明书

提供一种膜，其具有优异的耐热性，低温下的介电常数与高温下的介电常数之差小。一种膜，其特征在于，频率1kHz、30℃下的相对介电常数为8以上，根据下式由频率1kHz、30℃下的相对介电常数A与频率1kHz、150℃下的相对介电常数B计算出的变化率为‑8％～+8％，该膜包含熔点为180℃以上的含氟聚合物，且该含氟聚合物包含全部共聚单元的10摩尔％～49摩尔％的偏二氟乙烯单元。变化率(％)＝(B－A)/A×100。

本申请是分案申请，其原申请的中国国家申请号为201680041174.X，申请日为2016年7月13日，发明名称为“膜”。

技术领域

本发明涉及膜。

背景技术

已知偏二氟乙烯均聚物的膜、或由偏二氟乙烯与其它单体构成的共聚物的膜具有高介电常数。

例如，在专利文献1中，作为显示出优异的介电特性的膜，记载了一种由偏二氟乙烯树脂组合物得到的膜，该偏二氟乙烯树脂组合物由95重量％～30重量％的偏二氟乙烯树脂和5重量％～70重量％的聚醚构成。

在专利文献2中，记载了一种使用氟树脂形成的高电介质膜，该氟树脂包含合计为95摩尔％以上的偏二氟乙烯单元和四氟乙烯单元。

专利文献3中记载了一种包含四氟乙烯系树脂作为膜形成树脂的膜电容器用膜，该四氟乙烯系树脂以偏二氟乙烯单元/四氟乙烯单元(摩尔％比)为0/100～49/51的范围包含偏二氟乙烯单元和四氟乙烯单元。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开昭60-199046号公报

专利文献2：国际公开第2008/090947号

专利文献3：国际公开第2012/039424号

发明内容

发明所要解决的课题

但是，对于现有的膜来说，即便高也仅假定了在100℃使用。例如，专利文献1中记载了在80℃测定介电常数，专利文献3中记载了在90℃测定介电常数，但对于超过这些温度的温度下的介电常数，完全没有提及。

本发明人对能够在高温下使用的膜进行了深入研究，结果发现，现有的膜存在下述问题：耐热性不充分，无法保持膜的形状；或者即便具有耐热性，高温下的介电常数与低温下的介电常数相比也显著增大。低温下的介电常数和高温下的介电常数发生大幅变化的膜难以用于使用温度大幅变化的设备。使用了氮化镓、碳化硅的功率半导体是用于实现节能的王牌，由于即便在200℃以上的高温下也要工作，因此对于在其周边部分所用的电子部件或材料来说，也要求开发出150℃以上的高温特性稳定的材料，从而能够应对比迄今为止更高的温度。

鉴于上述现状，本发明的目的在于提供一种具有优异的耐热性、低温下的介电常数与高温下的介电常数之差小的膜。

用于解决课题的方案

本发明涉及一种膜，其特征在于，频率1kHz、30℃下的相对介电常数为8以上，根据下式由频率1kHz、30℃下的相对介电常数A与频率1kHz、150℃下的相对介电常数B计算出的变化率为-8％～+8％。

变化率(％)＝(B－A)/A×100

本发明的膜优选频率1kHz、30℃下的相对介电常数为8～12。

本发明的膜优选包含聚合物。

本发明的膜优选包含熔点为180℃以上的含氟聚合物。

本发明的膜优选包含含有偏二氟乙烯单元的含氟聚合物。

本发明的膜优选厚度为1μm～100μm。