[发明专利]KF作为原料在制备122系铁基超导体中的应用、一种122系铁基超导体的制备方法

权利要求书

1.KF作为原料在制备Ae_1-xK_xFe₂As₂超导体中的应用；

所述Ae_1-xK_xFe₂As₂超导体的制备方法，包括以下步骤：

在保护气氛中，按物质的量比为1-x：x：2：2将Ae、KF、Fe和As进行混合球磨，得到混合料；

将所述混合料进行煅烧，得到所述Ae_1-xK_xFe₂As₂超导体；

所述煅烧的温度为600～1000℃。

2.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，所述KF的纯度≥99％。

3.一种Ae_1-xK_xFe₂As₂超导体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在保护气氛中，按物质的量比为1-x:x:2:2将Ae、KF、Fe和As进行混合球磨，得到混合料；

将所述混合料进行煅烧，得到所述Ae_1-xK_xFe₂As₂超导体；

所述煅烧的温度为600～1000℃。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述Ae为Ba、Sr、Ca或Eu，0＜x＜1。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述煅烧的时间为10～100h。

6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，升温至所述煅烧的温度的升温速度为1～50℃/min。

7.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述球磨的时间为2～10h，所述球磨的转速为200～500r/min。

8.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述Ae、Fe和As的纯度独立地≥99％。

9.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述球磨之前，将所述KF进行干燥；

所述干燥的温度为150～200℃，时间为10～100h。

10.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述煅烧时，将所述混合料压缩成块材，所述压缩的压强为10～200MPa。