[发明专利]测量VCSEL器件多层膜元素扩散的样品制备方法以及检测方法有效
| 申请号： | 202110928350.4 | 申请日： | 2021-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN113588372B | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 朱雷;谢紫敏;赵弇斐;黄晋华;沈艳;金磊;许仕轩;石凯琳;张玲玲;张兮;傅超;李晓旻 | 申请（专利权）人： | 胜科纳米(苏州)股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01N27/62 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 边人洲 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 测量 vcsel 器件 多层 元素 扩散 样品 制备 方法 以及 检测 | ||
1.测量VCSEL器件多层膜元素扩散的样品制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
从VCSEL器件中切取含有目标膜层的待测块并将所述待测块周围的氮化硅介质层去除；
从VCSEL器件中切取含有目标膜层的待测块包括以下步骤：
将所述待测块周围的氮化硅介质层去除；
取VCSEL器件的金属环外围切线的四边沿第一预定角度切割至N-DBR层深度，得到暴露侧面的未分离的待测块；
其中，在两个相对的侧面上，以与侧面呈第二预定角度进行FIB切割，得到底部呈倒三角形的分离的待测块；
将分离的待测块提取出来并固定在载网上；
固定有所述待测块的载网放在平面样品台，改变所述待测块与所述载网的位置关系，所述待测块反向固定在载网上；
反向固定在载网上的待测块从所述N-DBR层向所述目标膜层方向削薄，直到距离所述目标膜层100-500纳米，削薄后得到的待测面平整且所述待测面与所述目标膜层平行；
得到的所述待测块的所述待测面用于TOF-SIMS分析。
2.根据权利要求1所述的测量VCSEL器件多层膜元素扩散的样品制备方法，其特征在于，固定有所述待测块的载网放在平面样品台后，先将所述分离的待测块的倒三角形部分切除，然后改变所述待测块与所述载网的位置关系，所述待测块反向固定在载网上；
切除倒三角形部分后的平面与所述目标膜层的距离为150-800纳米。
3.根据权利要求2所述的测量VCSEL器件多层膜元素扩散的样品制备方法，其特征在于，切除倒三角形部分后的平面与所述目标膜层的距离为250-600纳米。
4.根据权利要求1所述的测量VCSEL器件多层膜元素扩散的样品制备方法，其特征在于，所述载网为铜制或者钼制。
5.根据权利要求1所述的测量VCSEL器件多层膜元素扩散的样品制备方法，其特征在于，所述待测块的提取和/或改变所述待测块与所述载网的位置关系采用焊针进行。
6.根据权利要求5所述的测量VCSEL器件多层膜元素扩散的样品制备方法，其特征在于，所述待测块的提取以及改变所述待测块与所述载网的位置关系均采用焊针进行。
7.根据权利要求6所述的测量VCSEL器件多层膜元素扩散的样品制备方法，其特征在于，所述改变所述待测块与所述载网的位置关系步骤中，包括：先将所述待测块的提取用焊针切除，然后再在所述待测块的其他面设置新的焊针，通过新的焊针的动作使得所述待测块反向固定在载网上。
8.根据权利要求7所述的测量VCSEL器件多层膜元素扩散的样品制备方法，其特征在于，所述焊针切除采用FIB进行。
9.根据权利要求1所述的测量VCSEL器件多层膜元素扩散的样品制备方法，其特征在于，所述削薄采用FIB进行。
10.根据权利要求1所述的测量VCSEL器件多层膜元素扩散的样品制备方法，其特征在于，所述削薄为平面切割减薄至距离所述目标膜层150-250纳米。
11.VCSEL器件多层膜元素扩散的检测方法，其特征在于，将权利要求1-10任一项所述的样品制备方法制得样品的待测面进行TOF-SIMS检测。
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