[发明专利]一种低成本高压利用电阻耗散的LDO系统

说明书

本发明公开了一种低成本高压利用电阻耗散的LDO系统，包括56‑86V、并联稳压电路、串联稳压电路、电阻R5、LDO芯片U2、单片机U1，并联稳压电路连接56‑86V，并联稳压电路、串联稳压电路、LDO芯片U2、单片机U1都连接地信号GND，并联稳压电路、LDO芯片U2都连接串联稳压电路，单片机U1通过电阻R5连接并联稳压电路，LDO芯片U2连接单片机U1。本发明成本低，且本发明将输入电流提高到40mA，电流承受能力提高了8倍；本发明将低成本的电阻R3始终消耗最大的耗散功率，在合理设计的情况将相对调整管Q3来的安全,电阻本身相对半导体结构简单，功能稳定，对静电等不敏感。

技术领域

本发明涉及一种低成本高压利用电阻耗散的LDO系统。

背景技术

随着电摩电池市场的兴起，高压低功耗电源如高压LDO开始有了应用场景，市面上目前很少有现成芯片选择，部分公司正在开发但未量产，一般自设计的LDO如图1所示，采用的是MOS管或者BJT双极结型晶体管来做调整管形成一级减压来匹配现成的集成LDO,用于耗散掉不同输入电压多余的电能，如84V输入，系统只输出3.3V和输入电流5mA，那么电阻R1消耗U＝1250R*0.005A＝6.25V，调整管Q1的功率为P＝(84V-6.25V-6.8V)*0.005A＝0.355W,所以实际上此电路在不改变Q1调整管的情况，它的极限只能承受5mA的功率，从市场上来看，BJT和MOS封装越强壮成本是指数倍增长，因此成本很高。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术中的不足，提供一种低成本高压利用电阻耗散的LDO系统。

为了达到上述目的，本发明是通过以下技术方案实现的：

一种低成本高压利用电阻耗散的LDO系统，包括56-86V、并联稳压电路、串联稳压电路、电阻R5、LDO芯片U2、单片机U1，所述并联稳压电路连接56-86V，所述并联稳压电路、串联稳压电路、LDO芯片U2、单片机U1都连接地信号GND，所述并联稳压电路、LDO芯片U2都连接串联稳压电路，所述单片机U1通过电阻R5连接并联稳压电路，所述LDO芯片U2连接单片机U1。

作为优选，并联稳压电路包括电阻R3、稳压二极管DW2、三极管Q5，所述电阻R3的一端连接56-86V，所述电阻R3的另一端通过稳压二极管DW2连接三极管Q5的集电极，所述三极管Q5的发射极连接地信号，所述三极管Q5的集电极通过电阻R5连接单片机U1。

作为优选，串联稳压电路包括稳压二极管DW3、电阻R4、三极管Q4、三极管Q3，所述稳压二极管DW3的正极连接地信号GND，所述稳压二极管DW3的负极连接电阻R4的一端，所述电阻R4的另一端连接并联稳压电路，所述稳压二极管DW3的负极连接三极管Q4的基极，所述三极管Q4的集电极连接三极管Q3的集电极，所述三极管Q4的集电极连接电阻R4的另一端，所述三极管Q4的发射极连接三极管Q3的基极，所述三极管Q3的发射极连接LDO芯片U2。

作为优选，LDO芯片U2设有输入端IN、GND端、输出端OUT。

作为优选，输入端IN连接三极管Q3的发射极，所述GND端连接地信号GND，所述输出端OUT连接单片机U1。

作为优选，56-86V通过电池的电芯供电。

作为优选，稳压二极管DW2的稳压值为8.2V。

作为优选，稳压二极管DW3的稳压值为8.2V。

本发明的有益效果如下：本发明成本低，且本发明将输入电流提高到40mA,电流承受能力提高了8倍；本发明将低成本的电阻R3始终消耗最大的耗散功率,在合理设计的情况将相对调整管Q3来的安全,电阻本身相对半导体结构简单，功能稳定，对静电等不敏感。

附图说明

图1为背景技术中的电路原理图；

图2为本发明的模块连接图；