[发明专利]支持高效输入/输出接口的存储器件和存储系统

说明书

一种存储系统，包括：存储控制器，在第一时间间隔期间基于具有N(N是3或更大的自然数)个不同电压电平之一的数据输入/输出信号向第一通道发送命令、地址或数据，所述存储控制器在第二时间间隔期间基于具有两个不同电压电平之一的数据输入/输出信号向第一通道发送在所述第一时间间隔期间未发送的命令、地址或数据；以及存储器件，在脉冲幅度调制(PAM)‑N模式下对在所述第一时间间隔期间经由所述第一通道接收的数据输入/输出信号进行采样，所述存储器件在非归零(NRZ)模式下对在所述第二时间间隔期间经由所述第一通道接收的数据输入/输出信号进行采样。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年10月16日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2020-0134639的优先权，该申请的公开内容通过引用整体合并于此。

技术领域

本发明构思涉及存储器件，更具体地，涉及支持高效输入/输出接口的存储器件和包括该存储器件的存储系统。

背景技术

近来，诸如固态驱动器(SSD)之类的存储器件已得到广泛使用。SSD具有快速访问时间和低延迟，并且SSD的单元可以包含多位数据。储存设备可以包括诸如闪存的存储器件以及用于控制该存储器件的存储控制器。存储器件可以通过特定引脚与存储控制器收发输入/输出信号。例如，存储器件可以在经由DQ引脚传输的数据输入/输出信号(DQ)中接收来自存储控制器的命令、地址和数据。根据这种输入/输出接口，其效率可以根据命令、地址和数据的传输时间而变化。因此，为了提高存储器件和存储控制器之间的输入/输出接口的效率，可以采用用于数据输入/输出信号的新信令方法。

发明内容

本发明构思的实施例提供了一种存储系统，包括：存储控制器，被配置为在第一时间间隔期间基于具有N(N是3或更大的自然数)个不同电压电平之一的数据输入/输出信号向第一通道发送命令、地址或数据，所述存储控制器被配置为在第二时间间隔期间基于具有两个不同电压电平之一的数据输入/输出信号向第一通道发送在所述第一时间间隔期间未发送的命令、地址或数据；以及存储器件，被配置为在脉冲幅度调制(PAM)-N模式下对在所述第一时间间隔期间经由所述第一通道接收的数据输入/输出信号进行采样，所述存储器件被配置为在非归零(NRZ)模式下对在所述第二时间间隔期间经由所述第一通道接收的数据输入/输出信号进行采样。

本发明构思的实施例提供了一种存储器件，包括：接收器，被配置为在PAM-N模式下，基于第一参考电压至第(N-1)(N为3或更大的自然数)参考电压，输出与经由数据输入/输出信号引脚(DQ引脚)接收的数据输入/输出信号的电压电平对应的M个位(M是2或更大的自然数)，以及在NRZ模式下，基于所述第一参考电压至所述第(N-1)参考电压中的特定参考电压，输出与所述数据输入/输出信号的电压电平对应的一个位；以及控制逻辑电路，被配置为基于所述数据输入/输出信号的与命令、地址和数据之一对应的符号类型，控制所述接收器处于所述PAM-N模式或所述NRZ模式。

本发明构思的实施例提供了一种存储系统，包括：存储控制器，被配置为根据所述数据输入/输出信号的与命令、地址和数据之一对应的符号类型，将具有两个不同电压电平之一的数据输入/输出信号或具有N(N是3或更大的自然数)个不同电压电平之一的数据输入/输出信号发送给第一通道；以及存储器件，被配置为根据经由所述第一通道接收的数据输入/输出信号的符号类型，在NRZ模式或PAM-N模式下对所述数据输入/输出信号进行采样。

附图说明

根据以下结合附图进行的详细描述，将更清楚地理解本发明构思的实施例，在附图中：

图1是根据本发明构思的实施例的存储系统的框图；

图2是根据本发明构思的实施例的存储系统的框图；

图3示出了根据本发明构思的实施例的用于交换数据输入/输出信号的图2的存储系统；