[发明专利]一种核安全3级HDPE无损检测试块的制备方法在审

专利信息
申请号: 202110897166.8 申请日: 2021-08-05
公开(公告)号: CN113777269A 公开(公告)日: 2021-12-10
发明(设计)人: 吴双;王亮;李怀见;冯建;赵云龙;康萏;张庆元;邱晓东 申请(专利权)人: 上海核工程研究设计院有限公司;上海纳川核能新材料技术有限公司
主分类号: G01N33/2045 分类号: G01N33/2045;G01N1/28
代理公司: 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 代理人: 刘宁
地址: 200233*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 安全 hdpe 无损 检测 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种核安全3级HDPE无损检测试块的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:

a、选取一段HDPE管道,使外径壁厚符合要求;

b、机加工为长方体试块并标记打孔位置以及孔尺寸;

c、在标记位置打孔,孔深度需大于探头宽度;

d、使用无损检测仪器对试块进行校验屏幕线性以及波幅控制线性检测,验证试块的适用性。

2.根据权利要求1所述的一种核安全3级HDPE无损检测试块的制备方法,其特征在于:所述步骤a中,管道的尺寸外径为914±4.11mm,壁厚为101.6+12.2mm,长度不低于500mm。

3.根据权利要求1所述的一种核安全3级HDPE无损检测试块的制备方法,其特征在于:所述步骤b中,管道通过机加工成的长方体试块的长、宽、高分别为a、b、c,其中a≥200mm、b≥200mm、c≥20mm。

4.根据权利要求1所述的一种核安全3级HDPE无损检测试块的制备方法,其特征在于:所述步骤b中,打孔数量为两个,两个孔设置在长方体试块的端面上,且处于同一竖直平面内;其中上侧的孔到长方体试块顶面的距离为长方形高度的四分之一,下侧的孔到长方体试块顶面的距离为长方形高度的二分之一。

5.根据权利要求1所述的一种核安全3级HDPE无损检测试块的制备方法,其特征在于:所述步骤c中,打孔孔径不小于2mm,孔径深度不小于50mm;打孔的轴向方向与长方体试块的侧面保持平行。

6.根据权利要求1所述的一种核安全3级HDPE无损检测试块的制备方法,其特征在于:所述步骤d中,屏幕高度线性检查过程为选取已经校验后的无损检测仪器进行校验,探头为斜探头;从下侧孔和上侧孔得到反射信号,使二者波高比为2:1,调节灵敏度使较高的信号至满屏80%;不移动探头,调节灵敏度,每次衰减10%,使较高的信号从100%逐次降到20%,读出每次调整后较低信号的读数。

7.根据权利要求1所述的一种核安全3级HDPE无损检测试块的制备方法,其特征在于:所述步骤d中,波幅控制线性核查过程为:将斜探头放在基准试块上,使下侧横孔信号显示波屏峰值,调节灵敏度,使反射信号处于所规定的范围内。

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