[发明专利]一种晶片的原子台阶的宽度计算装置、方法、设备及介质在审
申请号: | 202110896139.9 | 申请日: | 2021-08-05 |
公开(公告)号: | CN113594057A | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
发明(设计)人: | 张九阳;舒天宇;卢仁贵;王永方;李霞;张红岩;高超;梁云硕;张禹亮 | 申请(专利权)人: | 上海天岳半导体材料有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人: | 董延丽 |
地址: | 201306 上海市浦东新区中国(上海)*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶片 原子 台阶 宽度 计算 装置 方法 设备 介质 | ||
1.一种晶片的原子台阶的宽度计算装置,所述晶片存在一个或多个原子台阶均匀平行分布的区域,并且每个原子台阶处于倾斜状态,所述原子台阶的宽度为相邻两个原子台阶之间的距离,其特征在于,所述装置包括:
图像获取单元,用于在所述原子台阶均匀平行分布的区域内,确定所述晶片的测试范围,获取所述测试范围内的晶片对应的原子台阶原始图像;
图像处理单元,用于对所述原子台阶原始图像进行灰度处理,确定原子台阶灰度图像,并根据预设方式以及所述原子台阶灰度图像,确定出符合要求的波形图;
计算单元,用于根据所述符合要求的波形图中的波峰之间或波谷之间的距离与原子台阶灰度图像的尺寸,计算所述原子台阶的宽度,其中,所述符合要求的波形图中的波峰之间或波谷之间的距离为原子台阶灰度图像中的原子台阶的宽度。
2.根据权利要求1所述的一种晶片的原子台阶的宽度计算装置,其特征在于,所述图像处理单元执行所述根据预设方式以及所述原子台阶灰度图像,确定出符合要求的波形图时,具体包括:
将所述原子台阶灰度图像按照预设方向旋转预设角度,旋转至所述原子台阶灰度图像中的原子台阶垂直,并记录每次旋转后得到的原子台阶灰度旋转图像;
对所述每次旋转后得到的原子台阶灰度旋转图像中,每列原子台阶的灰度值进行求和,得到对应的多个原子台阶波形图,并确定出符合要求的波形图。
3.根据权利要求2所述的一种晶片的原子台阶的宽度计算装置,其特征在于,所述图像处理单元执行所述确定出符合要求的波形图时,具体包括:
对所述多个原子台阶波形图通过预设函数进行拟合,确定出拟合误差最小的原子台阶波形图为所述符合要求的波形图。
4.根据权利要求1所述的一种晶片的原子台阶的宽度计算装置,其特征在于,所述计算单元执行所述根据所述符合要求的波形图中的波峰之间或波谷之间的距离与原子台阶灰度图像的尺寸,计算所述原子台阶的宽度时,具体包括:
根据公式D=X/Y*N,计算出所述原子台阶的宽度;
其中,所述X为所述符合要求的波形图中的波峰之间或波谷之间的平均距离,所述Y为所述原子台阶灰度图像的边长,所述N为所述原子台阶灰度图像所对应的晶片的测试范围。
5.根据权利要求1所述的一种晶片的原子台阶的宽度计算装置,其特征在于,所述图像处理单元执行所述根据预设方式以及所述原子台阶灰度图像,确定出符合要求的波形图时,具体包括:
对所述原子台阶灰度图像进行小区域截取,得到第一原子台阶区域图像;
根据预设方式将所述第一原子台阶区域图像转换为多个波形图,并确定出符合要求的波形图。
6.根据权利要求5所述的一种晶片的原子台阶的宽度计算装置,其特征在于,所述图像处理单元执行所述根据预设方式将所述第一原子台阶区域图像转换为多个波形图时,具体包括:
将所述第一原子台阶区域图像按照预设方向旋转预设角度,旋转至所述第一原子台阶区域图像中的原子台阶垂直,并记录每次旋转后得到的原子台阶区域图像;
对所述每次旋转后得到的原子台阶区域图像中,每列原子台阶的灰度值进行求和,得到对应的多个原子台阶波形图。
7.根据权利要求6所述的一种晶片的原子台阶的宽度计算装置,其特征在于,所述图像处理单元执行所述确定出符合要求的波形图时,具体包括:
对所述多个原子台阶波形图通过预设函数进行拟合,确定出拟合误差最小的原子台阶波形图为所述符合要求的波形图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造