[发明专利]极紫外光生成装置和电子器件的制造方法

说明书

本发明提供极紫外光生成装置和电子器件的制造方法。极紫外光生成装置具有：腔；第1分隔壁，其覆盖腔的内部的等离子体生成区域，并具有第1开口；EUV聚光镜，其位于腔的内部且第1分隔壁的外部的第1空间，使在等离子体生成区域产生且通过第1开口后的极紫外光聚光；第1气体供给口，其被形成于腔，向第1空间供给气体；以及气体排放口，其被形成于第1分隔壁，将第1分隔壁的内部的第2空间的气体排放到第1分隔壁的外部且腔的外部。

技术领域

本公开涉及极紫外光生成装置和电子器件的制造方法。

背景技术

近年来，随着半导体工艺的微细化，半导体工艺的光刻中的转印图案的微细化急速发展。在下一代，要求70nm～45nm的微细加工，进而要求32nm以下的微细加工。因此，例如为了应对32nm以下的微细加工的要求，期待开发组合了生成波长为13nm左右的极紫外(EUV)光的极紫外光生成装置和缩小投影反射光学系统(reduced projection reflectionoptics)的曝光装置。

作为EUV光生成装置，提出了如下的3种装置：使用通过对目标物质照射脉冲激光而生成的等离子体的LPP(Laser Produced Plasma)式的装置、使用通过放电而生成的等离子体的DPP(Discharge Produced Plasma)式的装置、以及使用同步加速器辐射光的SR(Synchrotron Radiation)式的装置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利申请公开第2009/0230326号说明书

专利文献2：美国专利申请公开第2014/0226772号说明书

发明内容

本公开的一个观点的极紫外光生成装置具有：腔；第1分隔壁，其覆盖腔的内部的等离子体生成区域，并具有第1开口；EUV聚光镜，其位于腔的内部且第1分隔壁的外部的第1空间，使在等离子体生成区域产生且通过第1开口后的极紫外光聚光；第1气体供给口，其被形成于腔，向第1空间供给气体；以及气体排放口，其被形成于第1分隔壁，将第1分隔壁的内部的第2空间的气体排放到第1分隔壁的外部且腔的外部。

本公开的一个观点的电子器件的制造方法包含以下步骤：在极紫外光生成装置中生成极紫外光；将极紫外光输出到曝光装置；以及在曝光装置内在感光基板上曝光极紫外光，以制造电子器件，极紫外光生成装置具有：腔；第1分隔壁，其覆盖腔的内部的等离子体生成区域，并具有第1开口；EUV聚光镜，其位于腔的内部且第1分隔壁的外部的第1空间，使在等离子体生成区域产生且通过第1开口后的极紫外光聚光；第1气体供给口，其被形成于腔，向第1空间供给气体；以及气体排放口，其被形成于第1分隔壁，将第1分隔壁的内部的第2空间的气体排放到第1分隔壁的外部且腔的外部。

本公开的一个观点的电子器件的制造方法包含以下步骤：对掩模照射由极紫外光生成装置生成的极紫外光，来检查掩模的缺陷；使用检查的结果选定掩模；以及将被形成于选定的掩模的图案曝光转印到感光基板上，极紫外光生成装置具有：腔；第1分隔壁，其覆盖腔的内部的等离子体生成区域，并具有第1开口；EUV聚光镜，其位于腔的内部且第1分隔壁的外部的第1空间，使在等离子体生成区域产生且通过第1开口后的极紫外光聚光；第1气体供给口，其被形成于腔，向第1空间供给气体；以及气体排放口，其被形成于第1分隔壁，将第1分隔壁的内部的第2空间的气体排放到第1分隔壁的外部且腔的外部。

附图说明

下面，参照附图将本公开的若干个实施方式作为简单例子进行说明。

图1概略地示出例示的LPP式的EUV光生成系统的结构。

图2概略地示出比较例的EUV光生成装置的结构。

图3是示出第1实施方式的EUV光生成装置的结构的剖视图。