[发明专利]一种碲锌镉靶材的制备方法

说明书

本发明提供了一种碲锌镉靶材的制备方法，包括：将碲粉、锌粉和镉粉混合，得到混合粉体；将所述混合粉体进行真空热压烧结，得到碲锌镉靶材。本发明提供的碲锌镉靶材的制备方法，制备得到的碲锌镉靶材相对密度大于99％，游离镉和游离碲小于200ppm，而且工艺简单，本发明直接采用三种粉末合成碲锌镉靶材，不需合成碲化镉和碲化锌，减少工艺操作，节约成本。

技术领域

本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种碲锌镉靶材的制备方法。

背景技术

碲化镉化学式为CdTe，分子量240.00，是一种重要的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，多用于薄膜太阳能；在碲化镉中掺入少量的Zn，形成碲锌镉，可以改善碲化镉薄膜的的载流子浓度，有助于提高光电转换效率。但现有技术制备碲锌镉工艺复杂。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种碲锌镉靶材的制备方法，本发明提供的方法工艺简单，制备得到的碲锌镉靶材相对密度大、游离镉和游离碲含量低。

本发明提供了一种碲锌镉靶材的制备方法，包括：

将碲粉、锌粉和镉粉混合，得到混合粉体；

将所述混合粉体进行真空热压烧结，得到碲锌镉靶材。

优选的，所述碲粉、镉粉和锌粉的摩尔比为1：1：(0.03～0.06)。

优选的，所述碲粉的粒度小于200微米。

优选的，所述锌粉的粒度小于200微米。

优选的，所述镉粉的粒度小于200微米。

优选的，所述真空热压烧结之前还包括：

将所述混合粉体放入模具中再进行真空热压烧结。

优选的，所述真空热压烧结的方法包括：

在真空环境下以第一速度升温至第一温度保温第一时间，然后以第二速度升温至第二温度保温第二时间；

所述第一速度为1～3℃/min；所述第一温度为350～450℃；所述第一时间为1～3小时；

所述第二速度为5～10℃/min；所述第二温度为650～750℃；所述第二时间为1.5～2小时。

优选的，所述真空环境的真空度＜10Pa。

优选的，所述真空热压烧结过程中的加压方法包括：

当温度达到第二温度保温第三时间后开始加压并保压；

所述第三时间为15～20min。

优选的，所述加压的压力为35～55MPa；

所述保压的时间为30～60min。

本发明提供的碲锌镉靶材的制备方法，制备得到的碲锌镉靶材相对密度大于99％，游离镉和游离碲小于200ppm，而且工艺简单，本发明直接采用三种粉末合成碲锌镉靶材，不需合成碲化镉和碲化锌，减少工艺操作，节约成本。

具体实施方式

下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员经改进或润饰的所有其它实例，都属于本发明保护的范围。应理解，本发明实施例仅用于说明本发明的技术效果，而非用于限制本发明的保护范围。实施例中，所用方法如无特别说明，均为常规方法。

本发明提供了一种碲锌镉靶材的制备方法，包括：

将碲粉、锌粉和镉粉混合，得到混合粉体；

将所述混合粉体进行真空热压烧结，得到碲锌镉靶材。