[发明专利]体声波谐振器

说明书

本发明公开了一种体声波谐振器。所述体声波谐振器包括衬底，依次设于所述衬底上的反射结构、下电极、压电层和上电极，与上电极连接的上电极引线，以及与下电极连接的下电极引线；所述反射结构、所述下电极和所述压电层中的至少两个膜层设有第一缺口，或者所述反射结构、所述下电极和所述压电层中的至少一个膜层设有第一缺口，且所述上电极中设有第二缺口；所述体声波谐振器包括谐振区，所述第一缺口位于所述谐振区外，且第一缺口在所述衬底上的正投影与上电极引线在衬底上的正投影至少部分相交；所述第二缺口位于所述上电极引线的两侧，且与所述上电极引线相邻设置。本发明能够减小谐振器的电损，提升谐振器的Q值，从而提高谐振器性能。

技术领域

本发明涉及谐振器技术领域，尤其涉及一种体声波谐振器。

背景技术

随着移动通讯技术的发展，射频器件更趋于小型化，体声波谐振器具有体积小、Q值高的优点，常被用于滤波器或双工器中。而在移动终端中，多个频段同时使用，使得滤波器或双工器需要更加陡峭的裙边和更小的插入损耗，而提高体声波谐振器的Q值是实现陡峭的裙边和更小插入损耗的一种方法。

谐振器中的谐振区是由谐振器中的反射结构、下电极、压电层和上电极的重叠部分构成。若由于制作误差导致上电极与下电极未完全对准，则与上电极连接的上电极引线会与其他膜层重叠，导致谐振区外产生谐振，而谐振区外的谐振会对谐振器造成干扰，影响谐振器的品质因子Q值，从而影响谐振器性能。

发明内容

本发明提供一种体声波谐振器，能够提升谐振器的Q值，减小谐振器的电损，从而提高谐振器性能。

本发明提供了一种体声波谐振器，包括衬底，依次设于所述衬底上的反射结构、下电极、压电层和上电极，与所述上电极连接的上电极引线，以及与所述下电极连接的下电极引线；

所述反射结构、所述下电极和所述压电层中的至少两个膜层设有第一缺口，或者所述反射结构、所述下电极和所述压电层中的至少一个膜层设有第一缺口，且所述上电极中设有第二缺口；

所述体声波谐振器包括谐振区，所述第一缺口位于所述谐振区外，且所述第一缺口在所述衬底上的正投影与所述上电极引线在所述衬底上的正投影至少部分相交；所述第二缺口位于所述上电极引线的两侧，且与所述上电极引线相邻设置。

可选地，所述第一缺口在所述谐振区的周向上的长度位于所述上电极引线在所述谐振区的周向上的长度的1倍至1.5倍之间；

所述第二缺口在所述谐振区的周向上的长度小于所述上电极引线在所述谐振区的周向上的长度的0.5倍，所述第二缺口在朝向所述谐振区中心方向上的长度小于所述第一缺口在朝向所述谐振区中心方向上的长度。

可选地，所述反射结构和所述压电层中未设置所述第一缺口的膜层设有第三缺口；

所述第三缺口位于所述谐振区内，且所述第三缺口靠近所述上电极引线设置。

可选地，所述第三缺口在所述谐振区的周向上的长度位于所述上电极引线在所述谐振区的周向上的长度的1倍至1.5倍之间，所述第三缺口在朝向所述谐振区中心方向上的长度小于所述第一缺口在朝向所述谐振区中心方向上的长度。

可选地，所述下电极中还设有第四缺口；

所述第四缺口位于所述下电极引线的两侧，且与所述下电极引线相邻设置。

可选地，所述第四缺口在所述谐振区的周向上的长度小于所述下电极引线在所述谐振区的周向上的长度的0.5倍，所述第四缺口在朝向所述谐振区中心方向上的长度小于所述第一缺口在朝向所述谐振区中心方向上的长度。

可选地，所述反射结构、所述压电层和所述上电极中的至少一个膜层设有第五缺口；

所述第五缺口与所述第一缺口相对设置。