[发明专利]体声波谐振器

权利要求书

1.一种体声波谐振器，其特征在于，包括衬底，依次设于所述衬底上的反射结构、下电极、压电层和上电极，与所述上电极连接的上电极引线，以及与所述下电极连接的下电极引线；

所述反射结构、所述下电极和所述压电层中的至少两个膜层设有第一缺口，或者所述反射结构、所述下电极和所述压电层中的至少一个膜层设有第一缺口，且所述上电极中设有第二缺口；

所述体声波谐振器包括谐振区，所述第一缺口位于所述谐振区外，且所述第一缺口在所述衬底上的正投影与所述上电极引线在所述衬底上的正投影至少部分相交；所述第二缺口位于所述上电极引线的两侧，且与所述上电极引线相邻设置；

从所述上电极往所述衬底方向俯视，所述反射结构中的第一缺口位于所述反射结构的边缘位置，所述下电极中的第一缺口位于所述下电极的边缘位置；从所述上电极往所述衬底方向俯视，所述第二缺口位于所述上电极的边缘位置。

2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述第一缺口在所述谐振区的周向上的长度位于所述上电极引线在所述谐振区的周向上的长度的1倍至1.5倍之间；

所述第二缺口在所述谐振区的周向上的长度小于所述上电极引线在所述谐振区的周向上的长度的0.5倍，所述第二缺口在朝向所述谐振区中心方向上的长度小于所述第一缺口在朝向所述谐振区中心方向上的长度。

3.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述反射结构和所述压电层中未设置所述第一缺口的膜层设有第三缺口；

所述第三缺口位于所述谐振区内，且所述第三缺口靠近所述上电极引线设置。

4.根据权利要求3所述的体声波谐振器，其特征在于，所述第三缺口在所述谐振区的周向上的长度位于所述上电极引线在所述谐振区的周向上的长度的1倍至1.5倍之间，所述第三缺口在朝向所述谐振区中心方向上的长度小于所述第一缺口在朝向所述谐振区中心方向上的长度。

5.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述下电极中还设有第四缺口；

所述第四缺口位于所述下电极引线的两侧，且与所述下电极引线相邻设置。

6.根据权利要求5所述的体声波谐振器，其特征在于，所述第四缺口在所述谐振区的周向上的长度小于所述下电极引线在所述谐振区的周向上的长度的0.5倍，所述第四缺口在朝向所述谐振区中心方向上的长度小于所述第一缺口在朝向所述谐振区中心方向上的长度。

7.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述反射结构、所述压电层和所述上电极中的至少一个膜层设有第五缺口；

所述第五缺口与所述第一缺口基于所述谐振区相对设置。

8.根据权利要求7所述的体声波谐振器，其特征在于，所述第五缺口在所述谐振区的周向上的长度位于所述下电极引线在所述谐振区的周向上的长度的1倍至1.5倍之间，所述第五缺口在朝向所述谐振区中心方向上的长度小于所述第一缺口在朝向所述谐振区中心方向上的长度。

9.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述反射结构、所述下电极、所述压电层和所述上电极中的至少一个膜层设有第六缺口；

所述第六缺口与所述第一缺口在所述谐振区的周向上间隔设置。

10.根据权利要求9所述的体声波谐振器，其特征在于，所述反射结构、所述下电极和所述上电极的形状均为一条弧线边与两条直线边构成的封闭形状；

所述第六缺口位于所述弧线边与所述直线边的相交处。

11.根据权利要求9所述的体声波谐振器，其特征在于，所述第六缺口在朝向所述谐振区中心方向上的长度小于所述第一缺口在朝向所述谐振区中心方向上的长度。