[发明专利]一种降低太阳能电池串联电阻的方法及电池制备方法

权利要求书

1.一种降低太阳能电池串联电阻的方法，其特征在于：太阳能电池包括依次层叠的导电层、窗口层、吸收层、背接触层、背电极层；使用激光刻蚀P1刻线、P2刻线、P3刻线；并在P1刻线与P3刻线隔断形成的发电区激光打孔形成孔P2.1；

孔P2.1打孔的数量、半径、间距的估算方法以公式A确认，公式A为：

其中R₁＝ρL/2r₁(Thickness1+Thickness2)；

R₂＝ρ(L+2r₂n₁)/[(2r₁+2r₂n₂)*(Thickness1+Thickness2)；

具体的符号示意：R₁为P2刻线后的电池板电阻；R₂为P2刻线打孔P2.1后的电池板电阻；Pw为电阻降低功率提升与损失面积功率损失差值；k为每欧姆电阻影响的功率；L为电池板的长度；W为电池板的宽度；P为电池板的功率；ρ为背电极材料的电阻率；Thickness1为吸收层的厚度；Thickness2为窗口层的厚度；r₁为刻线P2的半径；r₂为孔P2.1的半径；n1为沿电池板W方向打孔的数量；n2为沿电池板L方向打孔的数量。

2.根据权利要求1所述的降低太阳能电池串联电阻的方法，其特征在于：所述P2刻线和孔P2.1同时从两侧进行激光刻蚀。

3.一种采用权利要求1所述的降低太阳能电池串联电阻的方法制备的太阳能电池，其特征在于：包括依次层叠的导电层、窗口层、吸收层、背接触层、背电极层；设置有P1刻线、P2刻线、P3刻线；在P1刻线与P3刻线隔断形成的发电区设置有孔P2.1。

4.根据权利要求3所述的降低太阳能电池串联电阻的方法制备的太阳能电池，其特征在于：所述P2刻线和孔P2.1同时从两侧用激光刻蚀成型。

5.根据权利要求3所述的降低太阳能电池串联电阻的方法制备的太阳能电池，其特征在于：P1刻线贯穿导电层、窗口层、吸收层。

6.根据权利要求3所述的降低太阳能电池串联电阻的方法制备的太阳能电池，其特征在于：P2刻线贯穿窗口层和吸收层。

7.根据权利要求3所述的降低太阳能电池串联电阻的方法制备的太阳能电池，其特征在于：P3刻线贯穿窗口层、吸收层、背接触层、背电极层。

8.根据权利要求3所述的降低太阳能电池串联电阻的方法制备的太阳能电池，其特征在于：孔P2.1贯穿窗口层和吸收层。

9.根据权利要求3所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

S1制备导电层，厚度为400～500纳米；

S2制备窗口层，厚度为60～120纳米；

S3制备吸收层，厚度为2-5微米；

S4制备P1刻线、P2刻线、孔P2.1；

采用激光进行第一次激光刻蚀(P1)刻蚀P1刻线，P1完成后，填充光刻胶，固化曝光后进行第二次激光刻蚀(P2)刻蚀出P2刻线和孔P2.1；孔P2.1的打孔数量、孔半径、间距参数以公式A计算；

S5制备背接触层，厚度为10～50纳米；

S6制备背电极层，厚度为200～500纳米；

S7制备P3刻线，背电极层制备完成后，进行第三次激光刻蚀(P3)，完成第三次激光刻蚀后，得到太阳能电池成品。

10.根据权利要求9所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于：第二次激光刻蚀(P2)时，刻线P2和打孔P2.1同时进行。