[发明专利]具有多个底电极层的体声波谐振器、滤波器及电子设备

权利要求书

1.一种体声波谐振器，包括：

基底；

底电极；

顶电极；和

压电层，

其中：

所述底电极包括多个电极层，所述多个电极层至少包括在谐振器的厚度方向上设置的第一电极层和第二电极层，所述第一电极层和第二电极层的材料不同；

所述谐振器还包括多个阻挡层，所述多个阻挡层至少包括第一阻挡层和第二阻挡层，所述第一电极层以面接触的方式覆盖第一阻挡层的上侧的至少一部分，所述第二电极层以面接触的方式覆盖第二阻挡层的上侧的至少一部分。

2.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

在底电极的非电极连接端，所述第一电极层的端面与所述第一阻挡层的端面相接；或者

在底电极的非电极连接端，所述第一阻挡层的端面处于所述第一电极层的端面的内侧。

3.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

所述第一阻挡层的下侧与所述基底的上侧面接触；且

在所述底电极的非电极连接端，所述压电层覆盖第一阻挡层的端面和所述基底的上侧。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的谐振器，其中：

所述谐振器的声学镜设置在基底中，所述第一阻挡层设置成覆盖所述谐振器的声学镜；

所述第二阻挡层与第一阻挡层面接触且设置在第一阻挡层的上侧，所述第二电极层设置在第一电极层与所述第二阻挡层之间，所述第一阻挡层的材料不同于所述第二阻挡层的材料；

在所述底电极的非电极连接端，所述第一电极层覆盖第二阻挡层的端面。

5.根据权利要求4所述的谐振器，其中：

在底电极的非电极连接端，所述第二电极层的端面与所述第二阻挡层的端面相接；或者

在底电极的非电极连接端，所述第二阻挡层的端面处于所述第二电极层的端面的内侧。

6.根据权利要求4所述的谐振器，其中：

所述第一电极层的声阻抗高于所述第二电极层的声阻抗，且所述第二电极层的导电率高于所述第一电极层的导电率。

7.根据权利要求1-3中任一项所述的谐振器，其中：

所述第一电极层与第二电极层之间限定有空隙层，所述第二阻挡层限定所述空隙层的上侧边界的至少一部分。

8.根据权利要求7所述的谐振器，其中：

所述压电层覆盖所述第二电极层的上侧。

9.根据权利要求7所述的谐振器，其中：

所述底电极还包括第三电极层，在所述底电极的非电极连接端，所述第三电极层覆盖所述第二电极层的上侧的至少一部分、覆盖所述第一电极层的上侧的至少一部分、覆盖所述第二电极层的端面，所述第三电极层的材料不同于所述第二电极层。

10.根据权利要求9所述的谐振器，其中：

所述第三电极层的材料与所述第一电极层的材料相同，在所述底电极的非电极连接端，所述第一电极层和所述第三电极层的端面齐平。

11.根据权利要求9所述的谐振器，其中：

所述第三电极层的声阻抗高于所述第二电极层的声阻抗，且所述第二电极层的导电率高于所述第三电极层的导电率。

12.根据权利要求9所述的谐振器，其中：

在底电极的非电极连接端，所述第二电极层的端面与所述第二阻挡层的端面相接；或者

在底电极的非电极连接端，所述第二阻挡层的端面处于所述第二电极层的端面的内侧。

13.根据权利要求1-12中任一项所述的谐振器，其中：

所述谐振器还设置有沿所述谐振器的有效区域设置的声学不匹配结构。