[发明专利]具有多个底电极层的体声波谐振器、滤波器及电子设备在审
申请号: | 202110863351.5 | 申请日: | 2021-07-29 |
公开(公告)号: | CN115694410A | 公开(公告)日: | 2023-02-03 |
发明(设计)人: | 徐洋;庞慰;张巍;郝龙 | 申请(专利权)人: | 诺思(天津)微系统有限责任公司 |
主分类号: | H03H9/17 | 分类号: | H03H9/17;H03H9/54;H03H9/13;H03H3/02 |
代理公司: | 北京金诚同达律师事务所 11651 | 代理人: | 汤雄军 |
地址: | 300462 天津市*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 多个底 电极 声波 谐振器 滤波器 电子设备 | ||
1.一种体声波谐振器,包括:
基底;
底电极;
顶电极;和
压电层,
其中:
所述底电极包括多个电极层,所述多个电极层至少包括在谐振器的厚度方向上设置的第一电极层和第二电极层,第一电极层相比于第二电极层更靠近基底,第一电极层为包括铝的金属层;
在底电极的非电极连接端,所述第一电极层的端面被所述第二电极层所覆盖。
2.根据权利要求1所述的谐振器,其中:
所述谐振器的声学镜为声学镜空腔;
所述谐振器还包括阻挡层,所述第一电极层覆盖所述阻挡层且所述阻挡层限定所述声学镜空腔的上侧边界。
3.根据权利要求2所述的谐振器,其中:
所述声学镜空腔设置在基底中,所述第一电极层的非电极连接端处于所述声学镜空腔的边界的外侧。
4.根据权利要求3所述的谐振器,其中:
在底电极的非电极连接端,所述第二电极层覆盖所述阻挡层的端面,或者所述第二电极层覆盖所述阻挡层的上表面的至少一部分。
5.根据权利要求2所述的谐振器,其中:
所述阻挡层包括叠置的多层。
6.根据权利要求5所述的谐振器,其中:
所述阻挡层包括第一阻挡层和第二阻挡层,所述第一阻挡层的材料为氮化铝、氮化硅中的一种,所述第二阻挡层设置在第一阻挡层与第一电极层之间。
7.根据权利要求2所述的谐振器,其中:
所述底电极中设置有空隙层,所述空隙层限定谐振器的声学镜空腔,所述谐振器还包括第三电极层,所述第三电极层与第一电极层之间设置有所述空隙层;
在底电极的非电极连接端,所述第三电极层的端部处于所述第一电极层的端部的外侧。
8.根据权利要求7所述的谐振器,其中:
所述第三电极层的材料与所述第二电极层的材料相同;且
在底电极的非电极连接端,所述第三电极层的端面与所述第二电极层的端面齐平。
9.根据权利要求2所述的谐振器,其中:
所述底电极中设置有空隙层,所述空隙层限定谐振器的声学镜空腔,所述谐振器还包括第三电极层,所述第三电极层与第一电极层之间设置有所述空隙层;
在底电极的非电极连接端,所述第二电极层的端部处于所述第一电极层的端部和第三电极层的端部的外侧以至少覆盖第一电极层的端面。
10.根据权利要求2所述的谐振器,其中:
所述第二电极层与第一电极层之间设置有所述空隙层。
11.根据权利要求2所述的谐振器,其中:
所述阻挡层的材料为氮化铝、氮化硅中的一种。
12.根据权利要求1所述的谐振器,其中:
所述顶电极包括第一顶电极层和第二顶电极层,所述第二顶电极层为包括铝的金属层,所述第二顶电极层覆盖所述第一顶电极层的上侧的至少一部分;且
所述谐振器还包括顶电极包覆层,其覆盖所述第二顶电极层的上侧以及所述第二顶电极层在非电极连接端的端面。
13.根据权利要求12所述的谐振器,其中:
所述包覆层包括第三顶电极层,所述顶电极包括所述第一顶电极层、第二顶电极层和第三顶电极层;或者
所述包覆层包括工艺层或介质层,所述工艺层或介质层覆盖所述顶电极。
14.根据权利要求1-13中任一项所述的谐振器,其中:
所述谐振器还设置有沿所述谐振器的有效区域设置的声学不匹配结构。
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