[发明专利]半导体器件

说明书

提供了一种半导体器件，其包括具有中心区和外围区的衬底、在中心区上的集成电路结构、以及在外围区上并围绕中心区的第一结构，其中第一结构的一部分包括：第一鳍结构，由衬底中的器件隔离区限定；第一电介质层，覆盖第一鳍结构的上表面和侧表面以及器件隔离区的上表面；在第一鳍结构上的第一栅极结构，第一栅极结构包括第一栅极导电层、覆盖第一栅极导电层的下表面和侧表面的第一栅极电介质层以及在第一栅极导电层的侧壁上的第一栅极间隔物层；以及第一绝缘结构，覆盖第一电介质层和第一栅极结构。

技术领域

实施方式涉及半导体器件。

背景技术

多个半导体器件可以在半导体晶片上，并且晶片可以被切割和分离为单独的集成电路器件——半导体芯片。

发明内容

实施方式可以通过提供一种半导体器件来实现，该半导体器件包括具有中心区和围绕中心区的外围区的衬底、在衬底的中心区上的集成电路结构、以及在衬底的外围区上并围绕衬底的中心区的至少一个第一结构，其中所述至少一个第一结构的一部分包括：第一鳍结构，由衬底中的器件隔离区限定并从衬底突出；第一电介质层，覆盖第一鳍结构的上表面和侧表面以及器件隔离区的上表面；在第一鳍结构上的第一栅极结构，第一栅极结构包括第一栅极导电层、覆盖第一栅极导电层的下表面和侧表面的第一栅极电介质层以及在第一栅极导电层的两个侧壁上的第一栅极间隔物层；以及第一绝缘结构，覆盖第一电介质层和第一栅极结构，第一鳍结构包括具有线形形状并在第一方向上延伸的第一鳍线部分，第一栅极结构的第一栅极导电层包括具有线形形状并在第一方向上延伸的第一栅极线部分，第一鳍线部分在垂直于第一方向的第二方向上具有第一宽度，第一栅极线部分在第二方向上具有第二宽度，第二宽度比第一宽度窄。

实施方式可以通过提供一种半导体器件来实现，该半导体器件包括具有中心区和围绕中心区的外围区的衬底、在衬底的中心区上的集成电路结构、以及在衬底的外围区上围绕中心区的第一结构，其中第一结构的一部分包括：第一鳍结构，比设置在衬底中的器件隔离区更突出并在第一方向上延伸；第一电介质层，覆盖器件隔离区和第一鳍结构；以及第一栅极导电层，在第一鳍结构上在第一方向上延伸，第一鳍结构具有在第二方向上彼此相反的第一侧表面和第二侧表面，第二方向垂直于第一鳍结构和第一栅极导电层延伸的第一方向，第一栅极导电层具有在第二方向上彼此相反的第三侧表面和第四侧表面，第一电介质层覆盖第一鳍结构的第一侧表面和第二侧表面，第一侧表面和第二侧表面中的至少一个的一部分与第三侧表面和第四侧表面中的至少一个的一部分并排。

实施方式可以通过提供一种半导体器件来实现，该半导体器件包括：衬底，具有中心区和围绕中心区的外围区；在衬底的中心区上的多个晶体管，所述多个晶体管包括电路鳍图案、电路栅极结构和源极/漏极区；以及在衬底的外围区上的多个第一结构，其中所述多个第一结构中的每个第一结构的一部分包括第一鳍结构和第一栅极导电层，第一鳍结构具有线形形状、由衬底中的器件隔离区限定并在第一方向上延伸，第一栅极导电层具有线形形状并在第一鳍结构上在第一方向上延伸，在垂直于第一方向的第二方向上，彼此相邻的第一鳍结构的相对侧表面之间的第一距离小于彼此相邻的第一栅极导电层的相对侧表面之间的第二距离。

附图说明

通过参照附图详细描述示例性实施方式，特征对本领域技术人员将是明显的，附图中：

图1是根据本公开的示例实施方式的半导体器件的平面图；

图2A是半导体器件的示例的一部分区域的放大平面图；

图2B是根据本公开的示例实施方式的半导体器件的截面图；

图2C是根据本公开的示例实施方式的半导体器件的截面图；

图3A是半导体器件的示例的一部分区域的放大平面图；

图3B至图3F是根据本公开的示例实施方式的半导体器件的截面图；

图4A和图4B是根据本公开的示例实施方式的半导体器件的截面图；