[发明专利]一种晶体定向方法

权利要求书

1.一种晶体定向方法，在薄片的主面上标记一个指向晶体大边的箭头，其特征在于：按照公式1和公式2分别计算出内圆切割机的X₀、Y₀轴调整值，

X₀＝X cosθ+Y sinθ (公式1)

Y₀＝-X sinθ+Y cosθ (公式2)

其中：

θ指大边与竖直方向的夹角，x₁、x₂、y₁、y₂分别为箭头朝向左、右、下、上时，箭头方向分别对应的角度偏转值。

2.根据权利要求1所述的一种晶体定向方法，其特征在于：所述晶体定向的方法，具体包括以下步骤，

S1、切割晶体形成薄片，在薄片的主面上标记一个指向晶体大边的箭头；

S2、取得大边与竖直方向的夹角θ；

S3、分别测量出箭头指向的左、右、下、上所对应的x₁、x₂、y₁、y₂的值；

S4、按照公式1和公式2分别计算出内圆切割机的X₀、Y₀轴调整值，、

X₀＝X cosθ+Y sinθ (公式1)

Y₀＝-X sinθ+Y cosθ (公式2)

其中：

S5、按照计算得出的X₀、Y₀调整内圆切割机上的X、Y轴。

3.根据权利要求2所述的一种晶体定向方法，其特征在于：所述步骤S2中使用角度测量仪测量大边与水平方向的夹角再加上90°得到θ。

4.根据权利要求3所述的一种晶体定向方法，其特征在于：所述步骤S3中，将薄片掰成正方形的方片，测量时将正方形的方片使用真空吸气系统吸附于X射线衍射仪的测量台面上，打开X射线衍射仪对方片分别进行箭头指向为左、右、下、上的四个方位的角度测量。

5.根据权利要求4所述的一种晶体定向方法，其特征在于：所述正方形的方片的尺寸为10mm×10mm。

6.根据权利要求5所述的一种晶体定向方法，其特征在于：所述薄片的切割方法为，将晶体安装与卡具上，卡具安装于内圆切割机的滑动导轨上，并将卡具的底座固定于滑动导轨的伸缩机构上；调整内圆切割机的X、Y轴的数值，使其归零；设定伸缩机构进刀量，使其晶体需定向面与其锯片保持于同一竖直线；再次给予伸缩机构进给量，使其晶体在锯片的切割作用下，能形成适宜厚度的薄片；启动内圆切割机，上升滑动导轨的位置，使其锯片切割晶体形成薄片。

7.根据权利要求1-6任一权利要求所述的一种晶体定向方法，其特征在于：至少2次的重复切片测量计算调整过程，直至计算所得到的X₀、Y₀值在误差范围内，停止取片过程，进刀削平后定向过程结束。