[发明专利]一种喷涂装置及喷涂方法

说明书

本申请实施例公开了一种喷涂装置和喷涂方法，所述喷涂装置包括：储料仓，用于盛放喷涂材料；排气压缩单元，用于排出所述储料仓中的气体，并压缩所述储料仓的容积使存储于所述储料仓中的所述喷涂材料进入输料单元；所述输料单元，用于输送所述喷涂材料至使用端。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，涉及但不限于一种喷涂装置及喷涂方法。

背景技术

在半导体集成电路领域中，光刻工艺一直被认为是集成电路制造中最关键的步骤，其在整个工艺过程中需要被多次使用，其稳定性及可靠性对产品的质量、良率和成本有着很重要的影响；光刻工艺是一个复杂的过程，其本质是把电路结构以图形的形式复制到以后要进行刻蚀和离子注入的晶圆上，首先利用光刻胶涂布系统在晶圆上形成一层感光材料-光刻胶薄层，再将平行光经过掩膜版照射在光刻胶薄层上使其曝光而变质，最后利用显影液进行显影完成图形转移。

相关技术中，请参考图1，一般采用向光阻瓶10内泵送气体11(如氮气N₂)，通过挤压光阻瓶内的光阻12，使光阻喷涂在晶圆上，但是有时氮气会溶解到光刻胶/光阻(Photoresist，PR)中，引起气泡13问题，这些气泡会导致涂膜质量差，进而造成光阻图案破损现象。

发明内容

鉴于以上问题，本申请实施例提供一种喷涂装置及喷涂方法。

第一方面，本申请实施例提供一种喷涂装置，包括：

储料仓，用于盛放喷涂材料；

排气压缩单元，用于排出所述储料仓中的气体，并压缩所述储料仓的容积使存储于所述储料仓中的所述喷涂材料进入输料单元；

所述输料单元，用于输送所述喷涂材料至使用端。

第二方面，本申请实施例一种喷涂方法，所述方法包括：

通过喷涂装置中排气压缩单元排出所述喷涂装置中储料仓中的气体；

当所述储料仓中的气体排净后，通过所述排气压缩单元压缩所述储料仓的容积使存储于所述储料仓中的喷涂材料进入输料单元；

通过所述输料单元输送所述喷涂材料至使用端。

本申请实施例提供的喷涂装置和喷涂方法，其中，喷涂装置包括：储料仓，用于盛放喷涂材料；排气压缩单元，用于排出储料仓中的气体，并压缩储料仓的容积使存储于储料仓中的喷涂材料进入输料单元；输料单元，用于输送喷涂材料至使用端，如此，能够改变传统的采用泵送气体改变储料仓中气压的喷涂装置，避免气体溶入喷涂材料中产生气泡，提高了涂膜的质量。

附图说明

图1为相关技术中的喷涂装置；

图2A为本申请实施例中的一种喷涂装置；

图2B是本申请实施例中的一种喷涂方法；

图3至图12为本申请实施例中的一种喷涂装置。

具体实施方式

基于相关技术中存在的问题，本申请实施例提供一种喷涂装置，利用排气压缩单元排出储料仓中的气体，压缩储料仓的容积使存储于储料仓中喷涂材料进入输料单元，不向储料仓中泵送气体挤压喷涂材料使喷涂材料进入输料单元，避免了气体溶入喷涂材料，从而避免了产生气泡，提高了涂膜的质量，进而提高了产品的质量。