[发明专利]发光元件及该发光元件的制造方法

权利要求书

1.一种发光元件，包括：

基板；

多个突出图案，包括第一层和第二层，所述第一层与所述基板形成为不分离的一体，并从所述基板的上表面突出，所述第二层设置于所述第一层上，并利用与所述第一层不同的材料构成；及

发光层叠体，设置于所述基板上并射出光，

其中，所述发光层叠体具有设置于所述突出图案的所述第一层的至少一侧的空洞。

2.如权利要求1所述的发光元件，其中，

所述发光层叠体包括：

第一半导体层，设置于所述基板上；

活性层，设置于所述第一半导体层上；及

第二半导体层，设置于所述活性层上，

其中，所述空洞设置于所述第一半导体层。

3.如权利要求2所述的发光元件，其中，

所述空洞的最上部和所述第一层的最上部的从所述基板表面的高度相同。

4.如权利要求3所述的发光元件，其中，

当从平面上观察时所述第一层的上表面具有圆形形状时，所述空洞与内接于所述圆形的正六边形的顶点对应而设置。

5.如权利要求4所述的发光元件，其中，

沿垂直于所述基板的上表面且经过所述圆形的中心的面切割时，所述空洞的形状具有直角三角形形状，所述直角三角形的斜边是所述第一层的侧面。

6.如权利要求1所述的发光元件，其中，

所述第一层和所述第二层的高度的比是大于2.5且小于9.5。

7.如权利要求6所述的发光元件，其中，

所述第一层的高度是0.25μm以上且0.55μm以下，且所述第一层和第二层的高度之和是2.1μm。

8.如权利要求1所述的发光元件，其中，

所述发光元件为横向型类型或倒装芯片类型。

9.如权利要求8所述的发光元件，其中，

从所述发光层叠体射出的光朝贯通所述基板的方向行进。

10.如权利要求1所述的发光元件，其中，

所述第一层的侧面倾斜度和所述第二层的侧面倾斜度彼此不同。

11.如权利要求1所述的发光元件，其中，

所述第一层包括SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、GaP、InP、Ge、Ga₂O₃中的任意一个，所述第二层包括SiO_x、SiO_xN_y、SiN_x中的任意一个。

12.如权利要求1所述的发光元件，其中，

所述突出图案规则地排列。

13.如权利要求1所述的发光元件，其中，

所述突出图案不规则地排列。

14.一种发光元件制造方法，作为制造如权利要求1至权利要求13中任意一项所述的发光元件的制造方法，包括如下步骤：

在基板上形成包括从所述基板的上表面突出的第一层及设置于所述第一层上且由与所述第一层不同的材料构成的第二层的多个突出图案；及

在所述基板上依次形成第一半导体层、活性层及第二半导体层，

其中，形成所述第一半导体层的步骤包括如下步骤：

在所述基板上使第一半导体层材料3D生长；及

在所述基板上使第一半导体层材料2D生长。