[发明专利]等离子体处理装置及等离子体处理方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其具备：

腔室；

基板支承器，具有偏置电极；

高频电源，为了在所述腔室内由所述基板支承器支承的基板的上方生成等离子体，而产生供给至高频电极的高频电力；及

偏置电源，经由电路径与所述偏置电极连接，

搭载于所述基板支承器上的边缘环，经由在所述偏置电极与该边缘环之间或在所述电路径与所述边缘环之间提供可变阻抗的阻抗调节器与所述偏置电源电连接，或与其他偏置电源电连接，

相对于所述边缘环在径向上且在外侧延伸的外圈以接收所述高频电力的一部分的方式与所述高频电源电连接，

所述高频电源构成为在从所述偏置电源向所述偏置电极输出的电偏置的各周期内，与所述电偏置同步地变更所述高频电力的功率电平。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其还具备：

第1电极，与所述边缘环电耦合；及

第2电极，与所述外圈电耦合，

所述阻抗调节器在所述偏置电极与所述第1电极之间或在所述电路径与所述第1电极之间提供可变阻抗，

所述外圈经由所述第2电极，接收所述高频电力的一部分或来自其他高频电源的其他高频电力。

3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其中，

所述高频电源构成为在所述电偏置的各周期内的同一期间，向所述高频电极及所述外圈供给所述高频电力的脉冲。

4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其中，

所述同一期间为所述电偏置在其周期内具有该电偏置的平均电压以上的电压的第1期间或该电偏置在该周期内具有比该平均电压低的电压的第2期间。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

所述基板支承器具有基台及设置于该基台上的静电卡盘，

所述基台提供作为所述偏置电极的下部电极，

所述下部电极为所述高频电极，

所述高频电源经由所述电路径与所述下部电极电连接。

6.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其还具备：

在所述电路径与所述外圈之间或在所述下部电极与所述外圈之间提供可变阻抗的阻抗调节器。

7.根据权利要求6所述的等离子体处理装置，其还具备：

滤波器，连接在所述阻抗调节器与所述外圈之间，该阻抗调节器在所述电路径与所述外圈之间或在所述下部电极与所述外圈之间提供可变阻抗，

所述滤波器具有使所述高频电力选择性地通过从所述偏置电源供给至所述下部电极的所述电偏置的频率特性。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

所述基板支承器具有基台及设置于该基台上的静电卡盘，

所述偏置电极设置于所述静电卡盘中，

所述基台提供作为所述高频电极的下部电极，

所述高频电源与所述下部电极电连接。

9.根据权利要求8所述的等离子体处理装置，其还具备：

阻抗调节器，在将所述高频电源连接至所述下部电极的电路径与所述外圈之间或在所述下部电极与所述外圈之间提供可变阻抗。