[发明专利]一种白炭黑表面羟基的测定方法

权利要求书

1.一种白炭黑表面羟基的测定方法，其特征在于，其包括如下步骤：

将待测白炭黑进行热处理，使所述待测白炭黑表面能够发生脱水缩合的羟基脱水缩合，所述热处理的温度为200-800℃，所述热处理的时间为2-10h，得经热处理的白炭黑；将所述经热处理的白炭黑进行再水合反应，即得再水合后的白炭黑；

测定羟基，得所述待测白炭黑的表面羟基数h、所述经热处理的白炭黑的表面羟基数d、以及所述再水合后的白炭黑表面羟基数r，计算所需测定的羟基的数量；

当所需测定的羟基为所述待测白炭黑表面上的主链相邻羟基时，所述主链相邻羟基数为r-d；所述主链相邻羟基所在Si原子与相邻羟基所在Si原子之间间隔一个O原子；

当所需测定的羟基为所述待测白炭黑表面上的空间相邻羟基时，所述空间相邻羟基数为h-r；所述空间相邻羟基所在Si原子与相邻羟基所在Si原子之间间隔多个O原子。

2.如权利要求1所述的白炭黑表面羟基的测定方法，其特征在于，所述热处理的温度为600-800℃；

和/或，所述热处理在真空、惰性气体或氮气中进行；

和/或，所述热处理的设备为管式炉。

3.如权利要求1所述的白炭黑表面羟基的测定方法，其特征在于，所述再水合反应的方式为室温下放置于空气中。

4.如权利要求3所述的白炭黑表面羟基的测定方法，其特征在于，所述放置于空气中的时间为40-120h。

5.如权利要求3所述的白炭黑表面羟基的测定方法，其特征在于，所述放置于空气中的时间为48h。

6.如权利要求1所述的白炭黑表面羟基的测定方法，其特征在于，所述测定羟基的方式为滴定法、红外光谱法、核磁硅谱分析法或热重法。

7.如权利要求6所述的白炭黑表面羟基的测定方法，其特征在于，所述热重法测试的温度范围为25-1000℃。

8.如权利要求6所述的白炭黑表面羟基的测定方法，其特征在于，所述热重法测试的升温速率为10℃/min。

9.如权利要求6所述的白炭黑表面羟基的测定方法，其特征在于，所述热重法测试的气氛为N₂气氛。

10.如权利要求6所述的白炭黑表面羟基的测定方法，其特征在于，当采用热重法时，羟基的数量按照如下公式进行计算：

其中，W1、W2分别为热重测试的温度为120℃和1000℃下白炭黑的质量百分比，BET为待测白炭黑的比表面积。