[发明专利]复合氧化锆粉体、氮化铝陶瓷基板及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种氮化铝陶瓷基板，其特征在于，按照质量份数计，其制备原料包括：

氮化铝粉体 70份～95份；

增韧剂 3份～25份；及

烧结助剂 1份～10份；

其中，所述增韧剂为复合氧化锆粉体，所述复合氧化锆粉体包括内核及包裹于所述内核的壳层，所述内核为纳米氧化锆，所述壳层为氧化铝及氮化铝的混合物。

2.根据权利要求1所述的氮化铝陶瓷基板，其特征在于，所述内核与所述壳层的质量比为1：(0.4～2.7)。

3.根据权利要求1所述的氮化铝陶瓷基板，其特征在于，所述复合氧化锆粉体的粒径为60nm～130nm。

4.根据权利要求1所述的氮化铝陶瓷基板，其特征在于，所述内核的径向尺寸为50nm～100nm，所述壳层的厚度为10nm～30nm。

5.根据权利要求1所述的氮化铝陶瓷基板，其特征在于，所述复合氧化锆粉体的制备方法包括以下步骤：

将纳米氧化锆粉、氧化铝前驱体、活性炭、分散剂及水混合均匀，得到悬浮液；

向所述悬浮液中加入pH调节剂，调节所述悬浮液的pH为7～8，静置，过滤，干燥，得到第一混合粉体；

将所述第一混合粉体在氮气气氛下，1200℃～1600℃煅烧，得到第二混合粉体；

将所述第二混合粉体在空气气氛下，600℃～700℃煅烧，得到复合氧化锆粉体。

6.根据权利要求5所述的氮化铝陶瓷基板，其特征在于，所述氧化铝前驱体选自无水AlCl₃、Al(NO₃)₃及Al₂(SO₄)₃中的一种。

7.根据权利要求5所述的氮化铝陶瓷基板，其特征在于，所述纳米氧化锆粉、所述氧化铝前驱体、所述活性炭、所述分散剂及所述水的质量比为1：(3～15)：(0.2～3)：(0.01～0.5)：(2～15)。

8.根据权利要求5所述的氮化铝陶瓷基板，其特征在于，所述第一混合粉体在1200℃～1600℃煅烧的时间为2小时～10小时。

9.根据权利要求5所述的氮化铝陶瓷基板，其特征在于，所述第二混合粉体在600℃～700℃煅烧的时间为1小时～5小时。

10.根据权利要求1至9任意一项所述的氮化铝陶瓷基板，其特征在于，所述烧结助剂选自稀土金属氧化物、碱土金属氧化物及金属氟化物中的至少一种。

11.根据权利要求1至9任意一项所述的氮化铝陶瓷基板，其特征在于，所述氮化铝粉体的质量份数为80份～92份，所述增韧剂的质量份数为5份～15份，所述烧结助剂的质量份数为3份～5份。

12.一种氮化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将如权利要求1至11任意一项所述的氮化铝陶瓷基板的制备原料混合，制备流延浆料；

流延成型制备流延生坯；

排胶，烧结，得到氮化铝陶瓷基板。

13.如权利要求1至11任意一项所述的氮化铝陶瓷基板作为半导体封装基板的应用。

14.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备的芯片包括权利要求1至11任意一项所述的氮化铝陶瓷基板。