[发明专利]一种新型全光谱白光微LED芯片

说明书

本发明公开了一种新型全光谱白光微LED芯片，其技术方案要点是：包括本体，本体由蓝宝石衬底、N‑GaN、MQW、P‑GaN、P电极以及N电极组成，蓝宝石衬底、N‑GaN、MQW、P‑GaN、P电极自上至下依次设置，本体通过固晶胶固定设置在PCB板上，N电极的纵截面为倒冂字形，P电极和N电极交错设置，基座上开设有第一凹槽和第二凹槽，N电极对准第二凹槽，基座的下方设置有散热机构，散热机构的上端穿过第二凹槽，PCB板上开设有容纳槽，散热机构的上端延伸入容纳槽内，本发明中N电极位于本体的下方中部，LED芯片内的电流均匀分布在N电极，热量均匀分布在N电极，且本发明中的散热机构位于N电极的正下方，不会出现LED芯片局部发热明显情况。

技术领域

本发明涉及LED芯片技术领域，特别涉及一种新型全光谱白光微LED芯片。

背景技术

发光二极管简称为LED。由含镓(Ga)、砷(As)、磷(P)、氮(N)等的化合物制成。当电子与空穴复合时能辐射出可见光，因而可以用来制成发光二极管。在电路及仪器中作为指示灯，或者组成文字或数字显示。砷化镓二极管发红光，磷化镓二极管发绿光，碳化硅二极管发黄光，氮化镓二极管发蓝光。因化学性质又分有机发光二极管OLED和无机发光二极管LED。

参照授权公告号CN212303694U的中国实用新型专利，其公开了一种倒装LED芯片，倒装LED芯片包括衬底和依次设于其上的半导体层、透明导电层和绝缘保护层，半导体层、透明导电层和绝缘保护层分别形成有贯通其上下表面的第一通孔、第二通孔和第三通孔，第一通孔、第二通孔和第三通孔的中轴线重合，暴露出所述衬底的部分上表面；第一通孔、第二通孔和第三通孔的侧壁面与其所暴露出的所述衬底上表面围设形成顶针伸入区。

上述这种倒装LED芯片通过分别设置第一通孔、第二通孔和第三通孔形成顶针伸入区，可使顶针在顶起LED芯片时，沿顶针伸入区进入到LED芯片正面内部，相抵于高硬度的衬底，而不会刺在薄而脆的绝缘保护层或导电层上，以避免所述绝缘保护层被尖锐的顶针扎破而使该层脱落，但是上述这种LED芯片仍旧存在一些缺点，例如：该LED芯片的N电极位于LED芯片的一侧，LED芯片在使用时热量集中在N电极上，使得LED芯片局部发热明显，导致LED芯片寿命降低。

发明内容

针对背景技术中提到的问题，本发明的目的是提供一种新型全光谱白光微LED芯片，以解决背景技术中提到的现有的LED芯片的N电极位于LED芯片的一侧，LED芯片在使用时热量集中在N电极上，使得LED芯片局部发热明显，导致芯片寿命降低的问题。

本发明的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：

一种新型全光谱白光微LED芯片，包括本体，所述本体由蓝宝石衬底、N-GaN、MQW、P-GaN、P电极以及N电极组成，所述蓝宝石衬底、所述N-GaN、所述MQW、所述P-GaN、所述P电极自上至下依次设置，所述本体通过固晶胶固定设置在PCB板上，所述N电极的纵截面为倒冂字形，所述P电极和所述N电极交错设置，所述N电极的数量不少于一个，所述P电极的数量不少于两个，基座上开设有第一凹槽和第二凹槽，所述PCB板位于所述第一凹槽内，所述N电极对准第二凹槽，所述基座的下方设置有散热机构，所述散热机构的上端穿过所述第二凹槽，所述PCB板上开设有容纳槽，所述散热机构的上端延伸入所述容纳槽内。

通过上述技术方案，本发明中N电极位于本体的下方中部，N电极的纵截面为倒冂字形，LED芯片内的电流均匀分布在N电极，热量均匀分布在N电极，且本发明中的散热机构位于N电极的正下方，利用散热机构进行散热，防止热量积累在N电极上，导致LED芯片寿命降低。

进一步的，所述本体通过LED专用灌封胶封装。

通过上述技术方案，LED专用灌封胶封装的存在可以起到保护LED芯片增加LED的光通量，粘度小，易脱泡，适合灌封及模压成型，使LED有较好的耐久性和可靠。