[发明专利]一种发射三基色偏振光的RGB-LED器件制作方法

权利要求书

1.一种发射三基色偏振光的RGB-LED器件制作方法，其特征在于包括以下步骤：

步骤1：将绿色量子点色转换材料和红色量子点色转换材料分别添加溶剂并制成油墨，并使用喷墨打印机喷涂在具有双通纳米级多孔结构的基板上，同时对基板的底面施加真空泵以引导油墨进入基板的纳米孔，经热退火后，纳米孔结构将色转换材料重结晶为有序排列的纳米线阵列结构，制得绿色量子点色转换层和红色量子点色转换层；

步骤2：将绿色量子点色转换层和红色量子点色转换层粘合，并在下方放置能发偏振蓝光的非极性或半极性蓝光Micro-LED作为激发光源，用紫外光固化树脂将两层色转换层与激发光源粘连，制得发射三基色偏振光的RGB-LED器件。

2.如权利要求1所述一种发射三基色偏振光的RGB-LED器件制作方法，其特征在于在步骤1中，所述绿色量子点色转换材料包括CH₃NH₃PbBr₃、CsPbBr₃。

3.如权利要求1所述一种发射三基色偏振光的RGB-LED器件制作方法，其特征在于在步骤1中，所述红色量子点色转换材料包括CsPbI₃。

4.如权利要求1所述一种发射三基色偏振光的RGB-LED器件制作方法，其特征在于在步骤1中，所述溶剂选自甲苯、氯仿、正己烷中的至少一种。

5.如权利要求1所述一种发射三基色偏振光的RGB-LED器件制作方法，其特征在于在步骤1中，所述具有双通纳米级多孔结构的基板，其材料为非极性化合物，包括阳极氧化铝。

6.如权利要求1所述一种发射三基色偏振光的RGB-LED器件制作方法，其特征在于在步骤1中，所述纳米孔的孔径为20～60nm，纳米孔中心间距为65～125nm。

7.如权利要求1所述一种发射三基色偏振光的RGB-LED器件制作方法，其特征在于在步骤1中，所述基板的厚度为5～10μm。

8.如权利要求1所述一种发射三基色偏振光的RGB-LED器件制作方法，其特征在于在步骤1中，所述热退火是将样品放在80～150℃的热板上进行1～2h的热退火。

9.如权利要求8所述一种发射三基色偏振光的RGB-LED器件制作方法，其特征在于所述热退火是将样品放在90℃的热板上进行1h的热退火。

10.如权利要求1～9中任一所述一种发射三基色偏振光的RGB-LED器件制作方法制作的RGB-LED器件。