[发明专利]一种TSR型无衰减滤波电容器在审
申请号: | 202110787568.2 | 申请日: | 2021-07-13 |
公开(公告)号: | CN113628878A | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
发明(设计)人: | 李海燕 | 申请(专利权)人: | 北京鑫北科技有限公司 |
主分类号: | H01G4/002 | 分类号: | H01G4/002;H01G4/224 |
代理公司: | 北京翔石知识产权代理事务所(普通合伙) 11816 | 代理人: | 李勇 |
地址: | 102208 北京市昌平区回*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 tsr 衰减 滤波 电容器 | ||
1.一种TSR型无衰减滤波电容器,其特征在于,包括放电电阻、内熔丝和芯子,每个芯子连接一个内熔丝,m个芯子和1个放电电阻并联构成1个芯子组,n个芯子组串联,构成一个电容阵列;
在每个芯子和它所连接的内熔丝之间设置温度传感器,假设电容阵列的额定电容量为S,预先设置有标准温度矩阵T(T1(t11,t12,…,t1m),T2(t21,t22,…,t2m),…,Tn(tn1,tn2,…,tnm)),其中T1表示第1个芯子组的标准温度列表,tnm表示第n个芯子组中第m个芯子的标准温度,所述标准温度矩阵T通过在电容阵列初次工作时,检测并记录电容阵列内部每个芯子的温度获得;
在电容阵列工作的过程中,实时检测电容阵列当前的电容量,若电容量为(m×n-k×m+1)×S,k=1,2,…,n-1,设置温度阈值△t,通过每个芯子对应的温度传感器,实时检测电容阵列内部每个芯子的温度并记录为检测温度矩阵C(C1(c11,c12,…,c1m),C2(c21,c22,…,c2m),…,Cn(cn1,cn2,…,cnm)),其中C1表示第1个芯子组的检测温度列表,cnm表示第n个芯子组中第m个芯子的检测温度;实时检测电容阵列中所有芯子的工作状态,若某1个芯子组中的m-1个芯子工作状态异常,则电容阵列停止工作。
2.根据权利要求1所述的TSR型无衰减滤波电容器,其特征在于,实时检测电容阵列中所有芯子的工作状态,包括:
若对于第n个芯子组中的第m个芯子,在电容阵列工作中的任意时刻,其标准温度与检测温度的差值大于温度阈值,即tnm-cnm>△t,则判定该芯子工作状态异常;
若对于第n个芯子组中的第m个芯子,在电容阵列工作中的任意时刻,其标准温度与检测温度的差值小于或等于温度阈值,即tnm-cnm≤△t,则判定该芯子在该时刻工作状态正常。
3.根据权利要求2所述的TSR型无衰减滤波电容器,其特征在于,实时检测电容阵列中所有芯子的工作状态,还包括:设置时间间隔△T,检测每个芯子在每个时间间隔△T中的温度变化量,并根据在每个时间间隔△T中的温度变化量和时间间隔△T计算出每个芯子在每个时间间隔△T中的温度变化速率,对于第n个芯子组中的第m个芯子,其温度变化速率用vnm表示;
设置温度变化临界速率v0,对于第n个芯子组中的第m个芯子,在电容阵列工作中,若在任意一个时间间隔△T中,该芯子的温度变化速率大于温度变化临界速率,即vnm>v0,则判定该芯子工作状态异常;
对于第n个芯子组中的第m个芯子,在电容阵列工作中,若在任意一个时间间隔△T中,该芯子的温度变化速率小于或等于温度变化临界速率,即vnm≤v0,则判定该芯子在该时间间隔△T中工作状态正常。
4.根据权利要求3所述的TSR型无衰减滤波电容器,其特征在于,还包括:处理器,所述处理器预先设置标准温度矩阵T、当前电容量、温度阈值△t、检测温度矩阵C、时间间隔△T、温度变化临界速率v0和每个芯子的温度变化速率;
在电容阵列初次工作时,通过每个芯子对应的温度传感器检测每个芯子的温度,并赋值至标准温度矩阵T;在电容阵列工作的过程中,实时检测电容阵列当前的电容量并赋值至当前电容量;输入温度阈值△t;在电容阵列工作的过程中,通过每个芯子对应的温度传感器检测每个芯子的温度,并赋值至检测温度矩阵C;输入时间间隔△T;输入温度变化临界速率v0;在电容阵列工作的过程中,通过每个芯子对应的温度传感器检测每个芯子在每个时间间隔△T开始时的温度ta和结束时的温度tb,并计算该芯子的温度变化速率,该芯子的温度变化速率为(ta-tb)/△T;
在检测电容阵列中所有芯子的工作状态时,对于第n个芯子组中的第m个芯子,比较tnm-cnm与△t的大小关系;比较vnm与v0的大小关系;
根据上述比较结果,判定每个芯子在每个时刻或每个时间间隔△T中的工作状态;
汇总上述判定结果,若某1个芯子组中的m-1个芯子工作状态异常,则所述处理器发出令电容阵列停止工作的指令。
5.根据权利要求4所述的TSR型无衰减滤波电容器,其特征在于,还包括:壳体和填充介质,所述壳体为一面开口的柱形壳体,所述壳体的内表面通过所述填充介质与所述电容阵列连接。
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