[发明专利]一种近完美光吸收体及其普适性的制备方法

权利要求书

1.一种光吸收体，由聚合物膜和光耗散层组成；

所述聚合物膜和光耗散层均具有不贯穿整个膜的锥状结构。

2.根据权利要求1所述的光吸收体，其特征在于：构成所述聚合物膜的材料是经重离子辐照后能产生可蚀刻潜径迹的高分子聚合物；

构成所述聚合物膜的材料具体为PET或PC；

构成所述光耗散层的材料选自金属、合金和石墨中至少一种；所述金属具体选自金、银、铜、铝、钯、钴、铬、铁、铟、钼、铌、镍、铅、铂、锡、钽、钒、钨、锌、锰、锑、铋和锗中至少一种；所述合金具体为镍铬、镍铁或钛铝合金；

所述锥状结构中，锥角的角度为1-26°；

所述聚合物膜的厚度为10-175μm；

所述光耗散层的有效厚度不小于50nm；优选100nm。

3.一种制备权利要求1或2所述光吸收体的方法包括：

1)对构成所述聚合物膜的材料进行辐照；

2)对辐照后的聚合物膜进行蚀刻；

3)在蚀刻好的聚合物膜的任意一侧进行光耗散材料的沉积，得到所述光吸收体。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述步骤1)辐照步骤中，所用辐照离子在被辐照聚合物膜中的电子能损大于径迹蚀刻所需阈值；具体为Kr、Xe、Ta或Bi。

5.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于：所述步骤2)蚀刻步骤中，蚀刻液为氢氧化钠水溶液和甲醇组成的混合液；所述氢氧化钠水溶液的浓度具体为2.5-9M；更具体为5M；所述甲醇在所述蚀刻液的体积百分含量具体为30％-95％；更具体为50％-95％；

蚀刻温度为室温；

蚀刻时间为15-40min；具体为20-30min；

蚀刻方向为在所述辐照后的聚合物膜的两侧依次或同时蚀刻。

6.根据权利要求4或5所述的方法，其特征在于：所述步骤3)沉积步骤中，沉积方法为离子溅射法、真空蒸镀法、真空离子镀膜法、化学反应沉积法或电镀法。

7.权利要求1或2所述光吸收体在光热水处理中的应用。