[发明专利]一种基板的铜互连钴阻挡层有效
| 申请号： | 202110774652.0 | 申请日： | 2020-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN113278366B | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 张力飞;王同庆;路新春 | 申请（专利权）人： | 清华大学;华海清科股份有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;B24B37/04;H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 互连 阻挡 | ||
【权利要求书】：
1.一种基板的铜互连钴阻挡层的形成方法，其通过包括以下步骤的化学机械抛光方法抛光：
a. 配置化学机械抛光液，其中，所述化学机械抛光液含有1~10%的胶体二氧化硅、1-20mM的过硫酸钾、1-20mM的苯并三氮唑以及余量的水和pH调节剂，使得所述抛光液pH值为10-11；
b. 以100-300mL/min的流量向化学机械抛光垫散布抛光液并对承载头施加1-2psi的压力，对基板的铜互连钴阻挡层结构进行60-120s的化学机械抛光作业；
所述化学机械抛光作业是在温度15-30条件下进行的；
用于进行化学机械抛光的抛光头的转速控制为85rpm~89rpm。
2.如权利要求1所述的基板的铜互连钴阻挡层的形成方法，其特征在于，用于进行化学机械抛光的抛光盘的转速控制为91rpm~95rpm。
3.如权利要求2所述的基板的铜互连钴阻挡层的形成方法，其特征在于，所述抛光头的转速控制为87rpm，并且所述抛光盘的转速为93rpm。
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