[发明专利]开关变换器及其控制电路

权利要求书

1.一种开关变换器的控制电路，所述开关变换器采用至少一个开关管控制输入端向输出端的电能传输，从而根据输入电压产生输出电压，其中，所述控制电路包括：

误差放大器，用于将所述输出电压的第一反馈信号与基准电压进行比较，以生成误差信号；

瞬态响应补偿电路，与所述误差放大器的输出端连接，用于在所述第一反馈信号与所述基准电压之间的电压差超过设定阈值的情况下，提高所述误差放大器的差值电流，以提高所述误差放大器的输出变化速度；以及

PWM比较器，用于将所述输出电压的第二反馈信号和纹波信号的叠加信号与所述误差信号进行比较，以产生用于控制所述至少一个开关管的导通时间的脉宽调制信号。

2.根据权利要求1所述的控制电路，其中，所述瞬态响应补偿电路包括：

上拉补偿模块，其在所述第一反馈信号与所述基准电压之间的电压差超过下限阈值时开启，向所述误差放大器的输出端提供上拉电流，以加速所述误差信号的上升；以及

下拉补偿模块，其在所述第一反馈信号与所述基准电压之间的电压差超过上限阈值时开启，向所述误差放大器的输出端提供下拉电流，以加速所述误差信号的下降。

3.根据权利要求2所述的控制电路，其中，所述上拉补偿模块包括：

第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管构成电流镜，其第一端与电源电压连接，控制端彼此连接，且都连接至所述第一晶体管的第二端，

其中，所述第一晶体管的第二端还与所述误差放大器的供电端连接，所述第二晶体管的第二端与所述误差放大器的输出端连接。

4.根据权利要求3所述的控制电路，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管分别通过PMOS晶体管实现。

5.根据权利要求2所述的控制电路，其中，所述下拉补偿模块包括：

第三晶体管和第四晶体管，所述第三晶体管和所述第四晶体管构成电流镜，其第二端与地连接，控制端彼此连接，且都连接至所述第三晶体管的第一端，

其中，所述第三晶体管的第一端还与所述误差放大器的供电端连接，所述第四晶体管的第一端与所述误差放大器的输出端连接。

6.根据权利要求5所述的控制电路，其中，所述第三晶体管和所述第四晶体管分别通过NMOS晶体管实现。

7.根据权利要求1所述的控制电路，还包括：

逻辑和驱动电路，将所述脉宽调制信号转换成开关控制信号，以控制所述至少一个开关管的导通状态。

8.根据权利要求1所述的控制电路，还包括：

纹波补偿电路，用于产生所述纹波信号。

9.根据权利要求1所述的控制电路，其中，所述PWM比较器通过迟滞比较器实现，可根据所述输出电压自适应调整其迟滞电压，以稳定开关频率。

10.一种开关变换器，包括：

功率电路，采用至少一个开关管控制输入端向输出端的电能传输，从而根据输入电压产生输出电压；以及

根据权利要求1-9任一项所述的控制电路，用于产生开关控制信号以控制所述至少一个开关管的导通状态。

11.根据权利要求10所述的开关变换器，所述功率电路采用选自以下任一种的拓扑结构：浮地型Buck功率电路、实地型Buck功率电路、反激式功率电路、Buck-Boost型功率电路、Boost型功率电路。