[发明专利]一种超厚型导热石墨烯膜的制备方法

说明书

本发明公开了一种超厚型导热石墨烯膜的制备方法，依据仿生设计原理制备超厚型氧化石墨烯膜，在氧化石墨烯浆料中加入壳聚糖，壳聚糖可溶于酸性的氧化石墨烯浆料中。通过抽滤、刮涂等方式将氧化石墨烯浆料制成薄膜，控制氧化石墨膜的形貌，在其表面引入“刺突”；然后将数层氧化石墨烯膜堆叠，各层氧化石墨烯膜在粘结剂和机械嵌合的共同作用下，形成紧密结合的厚膜。本发明所得的石墨烯薄膜厚度可达500微米以上，且热导率可达1146W/mK，可以用于大功率的电子设备散热设计。

技术领域

本发明属于石墨烯膜制备技术领域，具体涉及一种超厚型导热石墨烯膜的制备方法。

背景技术

集成电路的快速发展使得电子器件的散热成为一个共性问题。以智能手机为例，5G时代的智能手机峰值功耗可达10W以上。在中央处理器(CPU)、基带芯片等高功率部位极易形成热量堆积。如不能通过有效手段将这些部位的热量移除，则将产生局部热点，进而影响器件的性能和寿命。石墨的平面导热能力极高，这种特性非常有利于局部热量的横向均温，因此在智能手机等电子产品中广泛采用人工石墨薄膜作为散热材料。其技术原理即是石墨膜通过热传导的方式将局部热量扩散到整个大平面，降低热流密度，消除局部热点。在此过程中石墨膜的扩热能力(即通过热传导的方式转移热量)可用如下公式描述：

其中ΔT是温度差，δ是热传导的距离，S是石墨膜的宽度，h 是石墨膜的厚度。其中δ和S多数时候由器件的外形尺寸限制。由此可见，制备高扩热能力的石墨膜关键在于同时提高热导率和厚度。

石墨烯是具有六角蜂窝结构的石墨晶体，其理论热导率可达3000W/mK以上。一旦将石墨烯组装成具有一定厚度的石墨烯膜，则可作为新一代散热材料。石墨烯的主流制备方法包括气相沉积和氧化石墨烯等技术路线。其中氧化石墨烯技术原料廉价易得，工艺成熟是最易实现工业化的技术路线，以氧化石墨烯浆料为前驱体，首先将氧化石墨烯组装成GO薄膜，然后通过高温还原等技术得到导热型石墨烯膜。因此大幅提高导热型石墨烯膜的热导率和厚度成为很多工程技术人员的共识。

要获得超厚型的石墨烯膜，就必须首先制出超厚型的氧化石墨烯膜。从氧化石墨烯成膜的机制可知：氧化石墨烯片层之间通过氢键的作用，形成完整致密的薄膜。由于氧化石墨烯的含氧官能团大部分位于颗粒的边缘，因此氧化石墨烯极易沿面向方向上成膜，不易沿厚度方向上堆积。以抽滤法为例，抽滤60小时，氧化石墨烯膜的厚度约 50微米。因此制备超厚型氧化石墨烯膜成为行业共性问题。

学术期刊Crbon，2020(167)：270-277报道一种通过高浓度氧化石墨烯浆料制备超厚型氧化石墨烯膜的方法，然后通过后续的高温热处理制得了导热型的石墨烯厚膜。但氧化石墨烯浆料是一种弱酸性的带正电水溶胶，浓度超过2wt.％以后极易发生团聚分层，因此高浓度的氧化石墨烯浆料不容易稳定存在。学术期刊Crbon,2020 (167):249-255则报道了一种“激活氢键”技术制备超厚型氧化石墨烯膜的方法。其技术原理是将氧化石墨烯浆料通过抽滤成膜，然后将所得的氧化石墨烯膜在水中浸泡后叠层，缓慢干燥后形成较厚的氧化石墨烯膜，再经过后续的高温处理制得了导热型的石墨烯厚膜，但这一技术耗时较长，生产效率较低。

发明内容

针对现有技术存在的缺陷，本发明从氧化石墨烯膜成膜的原理出发，依据仿生设计原理，借鉴“珍珠贝”贝壳特有的“砖-泥”结构和“刺突”形貌，在氧化石墨烯成膜的过程中引入壳聚糖作为粘结剂，同时在成膜的过程中在氧化石墨薄膜表面构筑微观“刺突”，从而增强氧化石墨烯成膜过程中无机薄片各层之间的结合力，获得超厚型的氧化石墨烯组装体，在后续的热处理过程中获得超厚型的导热石墨烯膜。

为了实现上述技术目的，本发明具体采用以下技术方案：

一种超厚型导热石墨烯膜的制备方法，包括以下步骤：

1)在氧化石墨烯水浆中加入壳聚糖，得到改性的氧化石墨烯浆料；