[发明专利]三相交错谐振变换器和电源电路在审

专利信息
申请号: 202110762623.2 申请日: 2021-07-06
公开(公告)号: CN115589149A 公开(公告)日: 2023-01-10
发明(设计)人: 李岩;孙露;吕培贤;李晓强 申请(专利权)人: 光宝电子(广州)有限公司
主分类号: H02M3/335 分类号: H02M3/335;H02M1/32;H02M1/088
代理公司: 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 代理人: 李有财
地址: 510663 广东省广州市广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 三相 交错 谐振 变换器 电源 电路
【权利要求书】:

1.一种三相交错谐振变换器,其特征在于,包括:

三相逆变电路,连接输入电压且包括:第一输出节点、第二输出节点和第三输出节点;

三相变压器,包括:三个变压器;

三相谐振电路,包括:三个谐振电容和三个谐振电感,所述三个谐振电感的一端分别与所述第一输出节点、所述第二输出节点和所述第三输出节点连接,所述三个谐振电感的另一端分别与所述三个谐振电容和所述三个变压器的原边绕组所交错连接形成的三角型进行连接;以及

三相整流滤波电路,分别与所述三个变压器的副边绕组连接,并分别对所述三个变压器的副边绕组输出的副边电流进行整流及滤波,并据以产生输出电压。

2.根据权利要求1所述的三相交错谐振变换器,其特征在于,所述三个变压器中的每一个的励磁电感与所述原边绕组并联连接。

3.根据权利要求1所述的三相交错谐振变换器,其特征在于,所述三相整流滤波电路包括并联的三个整流桥臂,所述三个整流桥臂的中点分别与所述三个变压器的副边绕组相互连接所形成的三角型进行连接。

4.根据权利要求3所述的三相交错谐振变换器,其特征在于,所述三个整流桥臂中的每一个包括相互串联的两个开关管或二极管。

5.根据权利要求3所述的三相交错谐振变换器,其特征在于,所述三相整流滤波电路还包括:滤波电容,与所述三个整流桥臂并联,用以将经由所述三个整流桥臂整流后的所述副边电流变换成对输出负载电路提供能量的所述输出电压。

6.根据权利要求1所述的三相交错谐振变换器,其特征在于,所述三相逆变电路包括并联的第一开关桥臂、第二开关桥臂和第三开关桥臂,所述第一开关桥臂的中点为所述第一输出节点,所述第二开关桥臂的中点为所述第二输出节点,所述第三开关桥臂的中点为所述第三输出节点,所述第一开关桥臂的驱动脉冲和所述第二开关桥臂的驱动脉冲之间的相位相差120度,所述第二开关桥臂的驱动脉冲和所述第三开关桥臂的驱动脉冲之间的相位相差120度,所述第三开关桥臂的驱动脉冲和所述第一开关桥臂的驱动脉冲之间的相位相差120度。

7.根据权利要求6所述的三相交错谐振变换器,其特征在于,所述第一开关桥臂包括相互串联且开关时序相差180度的两个第一开关管,所述第二开关桥臂包括相互串联且开关时序相差180度的两个第二开关管,所述第三开关桥臂包括相互串联且开关时序相差180度的两个第三开关管。

8.根据权利要求7所述的三相交错谐振变换器,其特征在于,所述两个第一开关管、所述两个第二开关管和所述两个第三开关管为双极性晶体管(IGBT)、碳化硅(SiC)晶体管、金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)或氮化镓(GaN)晶体管。

9.根据权利要求7所述的三相交错谐振变换器,其特征在于,所述两个第一开关管、所述两个第二开关管和所述两个第三开关管的两端分别并联反向二极管。

10.根据权利要求1所述的三相交错谐振变换器,其特征在于,所述三个变压器包括:第一变压器、第二变压器和第三变压器,所述三个谐振电容包括:第一谐振电容、第二谐振电容和第三谐振电容,所述三个谐振电感包括:第一谐振电感、第二谐振电感和第三谐振电感,所述第一谐振电容、所述第一变压器的原边绕组、所述第二谐振电容、所述第二变压器的原边绕组、所述第三谐振电容和所述第三变压器的原边绕组依序连接形成三角型连接,所述第一谐振电感的两端分别连接所述第一谐振电容与所述第三变压器的所述原边绕组之间的连接节点和所述第一输出节点,所述第二谐振电感的两端分别连接所述第二谐振电容与所述第一变压器的所述原边绕组之间的连接节点和所述第二输出节点,所述第三谐振电感的两端分别连接所述第三谐振电容与所述第二变压器的所述原边绕组之间的连接节点和所述第三输出节点。

11.一种电源电路,其特征在于,包括如权利要求1至10中任一项所述的三相交错谐振变换器。

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