[发明专利]一种基于F-P腔的光源相对强度噪声抑制装置

权利要求书

1.一种基于F-P腔的光源相对强度噪声抑制装置，其特征在于：包括宽谱光源(1)、光隔离器(2)、2×2光耦合器(3)、保偏光纤(4)、第一光环形器(5)、偏振旋转器(6)、第二光环形器(7)、第一光纤反射薄膜(8)、光放大器(9)和第二光纤反射薄膜(10)；宽谱光源(1)输出端连接光隔离器(2)的输入端，光隔离器(2)的输出端连接到2×2光耦合器(3)一侧的一端，2×2光耦合器(3)一侧的另一端连接第二光纤反射薄膜(10)，2×2光耦合器(3)另一侧的一端连接保偏光纤(4)的一端，保偏光纤(4)的另一端连接到第一光环形器(5)的第一端，第一光环形器(5)的第二端经偏振旋转器(6)后连接到第二光环形器(7)的第一端，第二光环形器(7)的第二端连接第一光纤反射薄膜(8)的一端，第一光纤反射薄膜(8)另一端作为输出端；第二光环形器(7)的第三端经光放大器(9)连接到第一光环形器(5)的第三端。

2.根据权利要求1所述的一种基于F-P腔的光源相对强度噪声抑制装置，其特征在于：装置内光路传输过程是：

S1、宽谱光源(1)的输出光入射到光隔离器(2)后出射到2×2光耦合器(3)；

S2、经2×2光耦合器(3)传输到保偏光纤(4)中，保偏光纤(4)输出的光经过第一光环形器(5)输入到偏振旋转器(6)后再经过第二光环形器(7)传输到第一光纤反射薄膜(8)中发生反射和透射；

S3、第一光纤反射薄膜(8)的透射光输出，第一光纤反射薄膜(8)的反射光逆反后经过第二光环形器(7)输入到光放大器(9)中，再经过第一光环形器(5)输入到保偏光纤(4)中，再经过2×2光耦合器(3)分别耦合到光隔离器(2)和第二光纤反射薄膜(10)中，其中耦合到光隔离器(2)的光耗散掉，耦合到第二光纤反射薄膜(10)的光再发生反射和透射；

S4、第二光纤反射薄膜(10)的透射光耗散掉，第二光纤反射薄膜(10)的反射光重新耦合到2×2光耦合器(3)中；

S5、再回到S2不断重复往复S2-S4的过程实现光源的光输出，以及光源相对强度噪声抑制。

3.根据权利要求2所述的一种基于F-P腔的光源相对强度噪声抑制装置，其特征在于：所述的宽谱光源(1)发出的光的电磁波模式为TE模或者TM模，每经过偏振旋转器(6)通过偏振旋转器(6)将模式进行转换。

4.根据权利要求1所述的一种基于F-P腔的光源相对强度噪声抑制装置，其特征在于：所述的光放大器(9)替换成保偏光纤。

5.根据权利要求1所述的一种基于F-P腔的光源相对强度噪声抑制装置，其特征在于：所述的2×2光耦合器(3)替换为2×1光耦合器。

6.根据权利要求1所述的一种基于F-P腔的光源相对强度噪声抑制装置，其特征在于：所述的第一光环形器(5)替换为2×2光耦合器。

7.根据权利要求1所述的一种基于F-P腔的光源相对强度噪声抑制装置，其特征在于：所述的第二光环形器(7)替换为2×2光耦合器。

8.根据权利要求1所述的一种基于F-P腔的光源相对强度噪声抑制装置，其特征在于：第二光纤反射薄膜(10)在光源线宽内的光源平坦区域采用指0.99以上反射率的膜，0.99以上反射率的谱线宽度Δυ₁₀小于宽谱光源(1)的光谱宽度Δυ；第一光纤反射薄膜(8)在光源线宽内的光源平坦区域采用0.9以上反射率的膜，0.9以上反射率的谱线宽度Δυ₈大于宽谱光源(1)的光谱宽度Δυ。