[发明专利]微反应芯片、控制方法和微反应系统

权利要求书

1.一种微反应芯片，其特征在于，包括芯片基板和设置在所述芯片基板上的流道；

所述芯片基板上设有加热区域；

所述流道包括第一通道和第二通道，所述第一通道和所述第二通道于连通处形成混合腔；

所述第一通道和/或所述第二通道在各自的入口和所述混合腔之间的部分至少部分位于所述加热区域内。

2.如权利要求1所述的微反应芯片，其特征在于，所述芯片基板上还设有非加热区域，所述第一通道设置于所述非加热区域内，所述第二通道至少部分位于所述加热区域内，所述加热区域与所述非加热区域相邻设置，所述混合腔设置在所述加热区域内，并与所述加热区域和所述非加热区域的交界处相邻设置。

3.如权利要求1所述的微反应芯片，其特征在于，所述流道还包括第三通道，所述第三通道连通所述流道的出口和所述混合腔，所述第三通道包括设置于所述加热区域的迂回管线部。

4.如权利要求1所述的微反应芯片，其特征在于，所述流道的内侧壁上设有凸起结构。

5.如权利要求2所述的微反应芯片，其特征在于，所述非加热区域位于所述芯片基板的上部，所述加热区域位于所述芯片基板远离所述非加热区域的一端，所述第一通道和所述第二通道的入口均设置于所述非加热区域的一侧。

6.如权利要求1至5任一项所述的微反应芯片，用于量子点材料的合成，其特征在于，

第一溶液经所述第一通道的入口流入所述混合腔时的温度为T1；

第二溶液经所述第二通道的入口流入所述混合腔时的温度为T2；

其中，所述第一溶液和所述第二溶液于所述混合腔处混合形成反应液；所述T1或所述T2高于或等于所述反应液的成核温度，所述混合腔内所述反应液的温度低于所述成核温度。

7.一种微反应控制方法，其特征在于，包括，

提供微反应芯片，所述微反应芯片包括芯片基板和设置在所述芯片基板上的流道；所述芯片基板上设有加热区域；所述流道包括第一通道和第二通道，所述第一通道和所述第二通道于连通处形成混合腔；所述第一通道和/或所述第二通道在各自的入口和所述混合腔之间的部分至少部分位于所述加热区域内。

8.如权利要求7所述控制方法，其特征在于，

所述第一溶液包括阴离子前驱体溶液，所述第二溶液包括阳离子前驱体溶液，所述第一溶液和所述第二溶液于所述混合腔处混合形成反应液；其中，所述T1或所述T2高于所述反应液的成核温度，所述混合腔内的所述反应液的温度低于所述成核温度。

9.如权利7所述的控制方法，其特征在于，所述流道还包括第三通道，所述第三通道连通所述流道的出口和所述混合腔，所述第三通道包括设置于所述加热区域的迂回管线部，所述控制方法还包括，

驱动所述反应液在预设温度下沿所述迂回管线部流动。

10.一种合成量子点材料的控制方法，其特征在于，包括，

提供微反应芯片，所述微反应芯片包括芯片基板和设置在所述芯片基板上的流道；所述芯片基板上设有加热区域；所述流道包括第一通道和第二通道，所述第一通道和所述第二通道于连通处形成混合腔；

驱动阴离子前驱体溶液从所述第一通道的入口流入所述混合腔，并在其流入所述混合腔时的温度为T1；

驱动阳离子前驱体溶液从所述第二通道的入口流入所述混合腔，并在其流入所述混合腔时的温度为T2；

其中，所述阴离子前驱体溶液和所述阳离子前驱体溶液于所述混合腔处混合形成反应液；所述T1或所述T2高于所述反应液的成核温度，所述混合腔内的所述反应液的温度低于所述成核温度。

11.一种微反应系统，其特征在于，所述微反应系统包括如权利要求1至5任一项所述的微反应芯片。