[发明专利]一种写入数据用三维闪存模块及其数据写入方法有效

专利信息
申请号: 202110747905.5 申请日: 2021-07-02
公开(公告)号: CN113257292B 公开(公告)日: 2021-11-23
发明(设计)人: 李庭育 申请(专利权)人: 江苏华存电子科技有限公司
主分类号: G11B33/14 分类号: G11B33/14;G11B33/08
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 226300 江苏*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 写入 数据 三维 闪存 模块 及其 方法
【权利要求书】:

1.一种写入数据用三维闪存模块,包括保护壳(1),其特征在于:所述保护壳(1)的内部活动连接有固定机构(2),所述固定机构(2)的内壁固定连接有存储机构(3),所述存储机构(3)的外壁通过设置的固定机构(2)与保护壳(1)的内壁活动连接;

所述固定机构(2)的结构包括固定壳板(21)、第一缓冲机构(22)、第二缓冲机构(23)和第三磁力缓冲装置(24),所述固定壳板(21)的外顶端靠近中心的位置设置有第一缓冲机构(22),所述第一缓冲机构(22)的外壁通过设置的固定壳板(21)与保护壳(1)的内壁活动连接,所述固定壳板(21)的外顶端靠近前后两侧的位置设置有第二缓冲机构(23),所述第二缓冲机构(23)的外壁通过设置的固定壳板(21)与保护壳(1)的内壁活动连接,所述固定壳板(21)的外壁靠近前后两侧的位置固定连接有第三磁力缓冲装置(24),所述第三磁力缓冲装置(24)的外壁通过设置的固定壳板(21)与保护壳(1)的内壁活动连接;

所述第一缓冲机构(22)的结构包括气压槽(221)、固定内螺纹轴(222)、转动外螺纹轴(223)和第一定位连接块(224),所述固定壳板(21)的顶端靠近中心的位置开设有气压槽(221),所述气压槽(221)的内壁活动连接有固定内螺纹轴(222),所述固定内螺纹轴(222)的内壁活动连接有转动外螺纹轴(223),所述转动外螺纹轴(223)的外壁通过设置的固定内螺纹轴(222)与气压槽(221)的外壁活动连接,所述转动外螺纹轴(223)的顶端活动连接有第一定位连接块(224),所述第一定位连接块(224)的外壁通过设置的转动外螺纹轴(223)与固定内螺纹轴(222)的外壁活动连接,所述第一定位连接块(224)的外壁与保护壳(1)的内壁固定连接。

2.根据权利要求1所述的一种写入数据用三维闪存模块,其特征在于:所述第二缓冲机构(23)的结构包括滑动槽(231)、固定块(232)、连接弹簧(233)和定位连接机构(234),所述固定壳板(21)的顶端靠近前后两侧的位置开设有滑动槽(231),所述滑动槽(231)的内壁呈等距排状固定连接有固定块(232),所述固定块(232)的外壁固定连接有连接弹簧(233),所述连接弹簧(233)的外壁通过设置的固定块(232)与滑动槽(231)的内壁活动连接,所述连接弹簧(233)的外壁远离固定块(232)的位置固定连接有定位连接机构(234),所述定位连接机构(234)的外壁通过设置的连接弹簧(233)与固定块(232)的外壁活动连接,所述定位连接机构(234)的顶端与保护壳(1)的内壁固定连接。

3.根据权利要求2所述的一种写入数据用三维闪存模块,其特征在于:所述定位连接机构(234)的结构包括第二定位连接块(2341)、弧形弹力板(2342)、増阻槽(2343)和支撑杆(2344),所述第二定位连接块(2341)的底端呈等距排列固定连接有弧形弹力板(2342),所述弧形弹力板(2342)的外壁开设有増阻槽(2343),所述増阻槽(2343)的外壁通过设置的第二定位连接块(2341)与滑动槽(231)的内壁活动连接,所述弧形弹力板(2342)的内壁固定连接有支撑杆(2344),所述支撑杆(2344)的顶端与第二定位连接块(2341)的底端固定连接。

4.根据权利要求1所述的一种写入数据用三维闪存模块,其特征在于:所述存储机构(3)的结构包括存储芯片(31)、存储块(32)和散热板(33),所述存储芯片(31)的外壁固定连接有存储块(32),所述存储块(32)的外壁活动连接有散热板(33),所述散热板(33)的外壁通过设置的存储块(32)与固定壳板(21)的内壁固定连接。

5.一种写入数据用三维闪存模块的数据写入方法,其特征在于:包括如下步骤,

S1:在每个闪存芯片中都有海量的存储单元,从上到下分别是控制栅极、氧化层、浮栅层、隧道氧化层和衬底。左侧是源级右侧是漏级,电流只能从源级向漏级单向传导;

S2:闪存记录数据的关键在于浮栅层,当其中被充满电子时是已编程状态,代表二进制0;当其中没有电子时是已擦除状态,代表二进制1;

S3:当源级到漏级之间有电流1,说明浮栅里没有电子;

S4:在控制栅极和漏级之间施加一个20V高电压,就可以引发量子隧道效应,使电子进入到浮栅层中;由于氧化隧道层的绝缘效果,进入到浮栅层的电子不容易流失掉,所以闪存可以在断电后继续保留数据;

S5:反过来也可以使用20V高电压反向将浮栅层中的电子“抽离”出去,这就是闪存的擦除。闪存的独特工作原理决定了闪存单元在写入之前必须经过擦除,而不能像磁记录那样直接覆盖写入。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏华存电子科技有限公司,未经江苏华存电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110747905.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top