[发明专利]一种掺钐的铁酸铋-钛酸钡陶瓷薄膜及其制备方法和应用有效
| 申请号: | 202110737237.8 | 申请日: | 2021-06-30 |
| 公开(公告)号: | CN113493345B | 公开(公告)日: | 2022-07-22 |
| 发明(设计)人: | 林元华;蓝顺;潘豪;刘亦谦;南策文 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
| 主分类号: | C04B35/468 | 分类号: | C04B35/468;C04B35/622;C04B35/638 |
| 代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 陈英俊 |
| 地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 铁酸铋 钛酸钡 陶瓷 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
一种掺钐的铁酸铋‑钛酸钡陶瓷薄膜及其制备方法和应用,属于介电材料技术领域。该薄膜的化学通式为x(Bi1‑ySmy)FeO3‑(1‑x)(Ba1‑ySmy)TiO3,其中,x、y为摩尔分数,且0x1,0y1。其制备方法是将Bi2O3、Fe2O3、BaCO3、TiO2和Sm2O3按选定的化学计量比混合得到原料粉体,之后预烧,得到陶瓷坯体,然后埋烧,得到陶瓷靶材,最后利用脉冲激光轰击靶材并退火处理,即可得到所述陶瓷薄膜。实验证明,该薄膜的击穿场强可达4~5.3MV/cm,储能密度可达152J/cm3,储能效率约78%;是一种具有高击穿场强和高储能密度且环境友好的新型介电材料。
技术领域
本发明涉及一种铁酸铋-钛酸钡陶瓷薄膜及其制备方法和应用,特别涉及一种掺钐的铁酸铋-钛酸钡陶瓷薄膜及其制备方法和应用,属于介电材料技术领域。
背景技术
具有超快的充放电速度、超高功率密度、工作寿命长和耐高压等特点的静电电容器是一类重要的储能器件,被广泛应用于脉冲功率技术、电气系统等领域。然而一般的静电电容器的能量密度较低,开发高储能密度的电介质材料是该领域需要解决的重点问题之一。
无机材料具有高介电常数,强自发极化,是一类很有潜力的电介质材料。其中,薄膜又具有高的击穿场强,其性能非常优异。但目前研究和应用较多的为铅基材料,如铌镁酸铅-钛酸铅(0.68Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.32PbTiO3)(Science 369,81–84(2020),最高储能密度为133J/cm3)。但含铅材料对生态环境和人体健康均有严重危害,需要严格的回收处理和密封保护。因而有必要寻找高储能密度的无铅材料。铁酸铋-钛酸钡的固溶体材料具有高的自发极化,是一类有潜力的无铅介电材料,目前已应用于压电领域(一种掺杂型铁酸铋-钛酸钡无铅压电陶瓷材料的制备方法,申请公布号CN 111320468 A)。但较高的剩余极化和漏电流强度限制了该体系在储能领域的应用,目前实现的最高储能密度仅为80J/cm3,击穿仅3.1MV/cm(Nano Energy 71,104536(2020))。
发明内容
本发明的目的是提出一种掺钐的铁酸铋-钛酸钡陶瓷薄膜及其制备方法和应用,旨在通过钐等比例掺杂铁酸铋和钛酸钡,同时降低该固溶体体系的剩余极化和漏电流,获得一种同时具有较强极化,高击穿和高储能密度等优异性能且环境友好的无铅储能介质材料。
本发明的技术方案如下:
一种掺钐的铁酸铋-钛酸钡陶瓷薄膜,其特征在于,所述固溶体介电薄膜的化学成分通式为x(Bi1-ySmy)FeO3-(1-x)(Ba1-ySmy)TiO3,其中,x、y为摩尔分数,且0x1,0y1。
优选地,所述陶瓷薄膜的化学成分通式中,其中,0.2x0.4,0.25y0.5。
优选地,所述陶瓷薄膜的厚度为50nm-10μm。
本发明提供的一种掺钐的铁酸铋-钛酸钡陶瓷薄膜的制备方法,其特征在于该方法包括如下步骤:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学,未经清华大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110737237.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:夹持组件和晶片夹持装置
- 下一篇:筒型分片式加热炉分段预拼装施工方法





