[发明专利]晶体生长过程中提升速度的控制方法、装置和可读介质

权利要求书

1.晶体生长过程中提升速度的控制方法，其特征在于，包括：

获取晶体需要生长到的目标直径；

实时采集所述晶体在生长过程中的实际直径；

将所述目标直径和所述实际直径作为PID控制的输入，得到PID输出值；

根据所述目标直径和所述实际直径，确定速度计算公式；

根据所述PID输出值以及所述速度计算公式，计算所述晶体的提升速度；

根据所述提升速度，对所述晶体进行拉升处理；其中，

所述根据所述目标直径和所述实际直径确定速度计算公式，进一步包括：

计算所述实际直径和所述目标直径的差值，得到直径偏差；

判断所述直径偏差是否位于预设的初级偏差区间，所述初级偏差区间为-0.3毫米至0.3毫米；

若所述直径偏差位于初级偏差区间之外，则根据所述直径偏差确定目标偏差区间；

确定与所述目标偏差区间相对应的直径控制调整系数；

根据所述直径控制调整系数，确定所述速度计算公式为如下公式二：

n_set＝n_base+PID_out*p*k

其中，n_set用于表征所述晶体的提升速度，n_base用于表征目标直径的晶体所对应的基本提升速度，PID_out用于表征所述PID输出值，p用于表征晶体速度的调节幅值，k用于表征所述直径控制调整系数，

所述目标偏差区间与所述直径控制调整系数的对应关系为：

-1.0至-0.6毫米区间对应直径控制调整系数-1.8；

-0.6至-0.3毫米区间对应直径控制调整系数-1.3；

-0.3至0毫米区间对应直径控制调整系数-1.1；

0至0.3毫米区间对应直径控制调整系数1.1；

0.3至0.6毫米区间对应直径控制调整系数1.3；

0.6至1.0毫米区间对应直径控制调整系数1.8。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在根据所述公式二计算出的所述提升速度对所述晶体进行拉升处理，包括：

采集根据所述公式二实时计算出的所述晶体的当前提升速度；

判断所述当前提升速度是否位于预先设定的提升速度的最小值和最大值的区间内；

若是，则继续根据所述公式二计算所述晶体的当前提升速度，并根据该当前提升速度对所述晶体进行拉升处理；

若否，则将当前提升速度的值更改为所述最小值和所述最大值中与该当前提升速度最接近的一个值；并根据更改后的当前提升速度对所述晶体进行拉升处理。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在对所述晶体进行拉升处理之后，进一步包括：

监测所述晶体的直径变化率的符号是否发生改变，如果是，则利用如下公式一计算提升速度：

n_set＝n_base+PID_out*p

其中，n_set用于表征所述晶体的提升速度，n_base用于表征目标直径的晶体所对应的基本提升速度，PID_out用于表征所述PID输出值，p用于表征晶体速度的调节幅值；

根据当前计算出的提升速度，对所述晶体进行拉升处理。

4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，当所述当前提升速度位于预先设定的提升速度的最小值和最大值的区间之外，将所述目标直径和所述实际直径作为PID控制的输入得到PID输出值，包括：

将所述目标直径和所述实际直径作为所述PID控制的输入；

对所述PID控制中的积分项进行锁定处理，得到所述PID输出值。