[发明专利]一种基于数据库系统的CMT电弧表面熔覆方法

权利要求书

1.一种基于数据库系统的CMT电弧表面熔覆方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：建立温度-熔宽-搭接宽度的熔覆数据库；

步骤2：使用建立好的温度-熔宽-搭接宽度的熔覆数据库对基板进行实际的CMT电弧表面熔覆；

所述步骤1的操作具体包括：

步骤1.1：对基板表面进行打磨或者车削加工，将基板表面的污物清理去除；

步骤1.2：使用加热装置将去除表面污物后的基板预热至温度t₁；

步骤1.3：采用CMT电弧在基板表面进行单道熔覆，所述单道熔覆操作过程中的参数为：送丝速度WFS=5.0m/min，CMT非一元化调节起弧电流I_boost=320A，短路电流I_scwait=100A，短路电流持续时间t_b=4.2ms，焊枪移动速度5.4m/min；

步骤1.4：测量并统计在温度t₁下的单道熔覆层的熔宽数据d₁；

步骤1.5：改变预热温度至温度t₂，重复步骤1.3和1.4，记录在温度t₂下的单道熔覆层的熔宽数据d₂；

步骤1.6：按照步骤1.5的方法，依次继续改变温度得到温度t₃、t₄、t₅…t_n，逐一得到对应的熔宽数据d₃、d₄、d₅…d_n；

步骤1.7：设置搭接宽度与熔宽的匹配关系：d_n´=1/2d_n，计算不同温度和熔宽下对应的搭接熔宽数据d_n´；

步骤1.8：建立温度-熔宽-搭接宽度的数据库；

所述步骤2具体包括以下步骤：

步骤2.1：通过机械打磨的方法将待熔覆材料表面打磨干净；

步骤2.2：通过加热装置将待熔覆材料预热至100~150℃；

步骤2.3：采用CMT电弧技术在待熔覆材料表面进行熔覆，熔覆过程中的参数为：送丝速度WFS=5.0m/min，CMT非一元化调节起弧电流I_boost=320A，短路电流I_scwait=100A，短路电流持续时间t_b=4.2ms，焊枪移动速度5.4m/min；

步骤2.4：将红外温度测量仪的斑点对准熔覆层一侧2~5mm处的待熔覆金属表面，根据实测温度选择下一道次熔覆的搭接宽度d´，起弧位置为上一道熔覆层息弧处向未熔覆方向平移d´的距离，表面熔覆的路径采用S型扫描；

步骤2.5：重复步骤2.4，直至完成全部的表面熔覆；

步骤2.6：对表面熔覆金属层进行机加处理至所需厚度。

2.如权利要求1所述的一种基于数据库系统的CMT电弧表面熔覆方法，其特征在于，所述步骤1.2中预热温度范围为100~450℃，相邻两组预热温度d之间的间隔为50℃，温度波动为±5℃。

3.如权利要求1所述的一种基于数据库系统的CMT电弧表面熔覆方法，其特征在于，所述步骤1.4中统计熔覆层宽度的方法为测量单道熔覆层起弧端1cm处、1/2熔覆层长度处和收弧端1cm处三个位置的宽度，取平均值后作为相应温度下的熔宽数据d。

4.如权利要求1所述的一种基于数据库系统的CMT电弧表面熔覆方法，其特征在于，在所述步骤1.2中，在预热到温度t1后，在焊枪起弧前保持预热至少3s时间，然后再关闭预热装置。